[发明专利]一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法

权利要求书

1.一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法，包括以下步骤：

步骤一：对高纯钼箔进行清洗：选取高纯度钼箔加入去离子水中，超声震荡清除钼箔表面的氧化物及杂质；

步骤二：称量309mg溴化钠(NaBr)固体粉末并溶解于去离子水中，配置NaBr水溶液；

步骤三：将步骤一清洗好的钼箔静置在配好的NaBr水溶液中，5min后缓慢提拉出并自然风干；

步骤四：称取硫粉和硒粉分别置于距离单温区CVD管式炉中心温区前端位置，用来保证挥发足量的硫族源参与反应；将步骤三得到处理后的钼箔和清洗后的单剖面绝缘衬底以面对面的形式放入设计好的凹型石英舟内，并将其置于CVD管式炉的中心温区；

步骤五：对CVD管式炉进行抽气至10Pa以下；运用大气流氩气使上述管式炉快速充气至标准大气压；

步骤六：采用化学气相沉积，通入氧氩混合气，以20°C /分钟的升温速率将CVD管式炉的中心温区加热至800°C，保温8分钟；生长结束后关闭氧气，待整个CVD管式炉自然降至400℃时，掀开炉盖快速降温至室温；

其特征在于采用钼箔作源，在生长过程中，通入微量氧气作为反应气体形成短程垂直近稳态供源得到二维半导体合金，通式为MoSe_2(1-x)S_2x ，其中0＜ x ≤ 0.4；具体可通过步骤四中所述的硫粉与硒粉以质量比（1~4）：（4~1），总质量为300mg的不同称取比例来调节。

2.根据权利要求1所述的一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法，其特征在于：所述高纯钼箔纯度为99.999%，厚度为0.1mm。

3.根据权利要求1所述的一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法，其特征在于：所述的溴化钠溶液浓度为0.1mol/L。

4.根据权利要求1所述的一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法，其特征在于：所述硫粉与中心温区的距离为22cm-23cm；硒粉与中心温区的距离为20cm-21cm；绝缘衬底为单剖面蓝宝石衬底；“面对面”摆放钼箔与衬底的垂直距离为1cm。

5.根据权利要求1所述的一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法，其特征在于：所述的氧氩混合气氩气的流速为100sccm，氧气的流速为0.5sccm。