[发明专利]高功率电阻及其制造方法

权利要求书

1.一种高功率电阻制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

准备一基板，在该基板的一第一表面上设置一阻抗层；

在该阻抗层上设置具导电性的一种子层；

在该种子层上设置二端电极；

移除部分的种子层及部分的阻抗层，使该种子层及该阻抗层形成一电阻图案；

将该电阻图案中未被该二端电极覆盖的另一部分的种子层移除，外露该电阻图案的阻抗层。

2.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，其中，在该基板的第一表面上设置阻抗层的步骤中，以一溅镀制程将该阻抗层完全覆盖于该基板的第一表面上。

3.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，其中，在该阻抗层上设置该种子层的步骤中，以一溅镀制程将该种子层完全覆盖于该阻抗层上。

4.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，其中，在该种子层上设置二端电极的步骤中，包含以下子步骤：

在该种子层上覆盖局部一图案化光阻层，该图案化光阻层外露部分的种子层；

进行一电镀制程，在该种子层局部外露于该图案化光组层的部分上形成该二端电极，然后移除该图案化光阻层。

5.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，其中，移除部分的种子层及部分的阻抗层，使该种子层及阻抗层形成一电阻图案的步骤中，包含以下子步骤：

在该种子层及该二端电极上覆盖一第一图案化光阻层，该第一图案化光阻层为该电阻图案；

移除未被该第一图案化光阻层覆盖的部分的该种子层及部分的该阻抗层，然后移除该第一图案化光阻层。

6.如权利要求5所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，其中，将该电阻图案中未被该二端电极覆盖的另一部分的种子层移除，外露该电阻图案的阻抗层的步骤中，包含以下子步骤：

在该基板上设置一第二图案化光阻层，该第二图案化光阻层覆盖该基板上的电阻图案以外的部分表面及该二端电极；

移除未被该第二图案化光阻层覆盖的部分的该种子层，外露该电阻图案区中未被该二端电极覆盖的部分阻抗层，然后移除该第二图案化光阻层。

7.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，在完成外露该电阻图案的阻抗层的步骤后，进一步包含以下步骤：

在该阻抗层上设置一第一保护层，该第一保护层包覆该二端电极之间的阻抗层的表面，且该第一保护层接触端电极的一边缘的高度低于该二端电极的顶面的高度；

在该第一保护层上设置一第二保护层。

8.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，在完成外露该电阻图案的阻抗层的步骤后，进一步包含以下步骤；

在该基板的相对二侧面分别形成一侧面种子层，该二侧面种子层由该第一表面延伸至该基板相对该第一表面的一第二表面，且在该第一表面上的二端电极及该第二表面上的二底电极之间形成电性连接；

在该二侧面种子层上设置二第一导电层；

在二第一导电层上设置二第二导电层。

9.如权利要求1所述的高功率电阻制造方法，其特征在于，其中，该二端电极的厚度为30-100μm。

10.一种高功率电阻，其特征在于，包含：

一基板，具有一第一表面；

一阻抗层，设置于该基板的第一表面上；

二端电极，设置于该阻抗层上；

一种子层，具备导电性，设置于该阻抗层及该二端电极之间。

11.如权利要求10所述的高功率电阻，其特征在于，进一步包含：

一第一保护层，该第一保护层包覆该二端电极之间的阻抗层，且该第一保护层接触该二端电极的一边缘的高度低于该二端电极的顶面的高度；

一第二保护层，设置于该第一保护层上，且包覆该第一保护层。