[发明专利]集成电路（IC）、FinFET MOS电容器及其形成方法

权利要求书

1.一种FinFET MOS电容器，包括：

衬底；

电容器鳍结构，从所述衬底的上表面向上延伸，所述电容器鳍结构包括通过伪沟道区域分开的成对的伪源极/漏极区域；以及

电容器栅极结构，跨在所述电容器鳍结构上，所述电容器栅极结构通过电容器栅极电介质与所述电容器鳍结构分开。

2.根据权利要求1所述的FinFET MOS电容器，其中所述伪沟道区域被掺杂具有与所述伪源极/漏极区域相同的掺杂类型，并且掺杂浓度大于所述伪源极/漏极区域的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的FinFET MOS电容器，其中所述伪沟道区域包括一个垂直地堆叠在另一个上方的多个掺杂层。

4.根据权利要求1所述的FinFET MOS电容器，其中所述电容器栅极电介质包括沉积在界面电介质层上的高-k电介质层，其中所述电容器栅极结构包括金属栅极材料。

5.一种集成电路(IC)，包括：

FinFET MOS电容器和FinFET晶体管，集成在衬底中；

其中所述FinFET MOS电容器包括从所述衬底的上表面向上延伸的电容器鳍结构和跨在所述电容器鳍结构上的电容器栅极结构，所述电容器栅极结构通过电容器栅极电介质与所述电容器鳍结构分开；

其中所述FinFET晶体管包括从所述衬底的上表面向上延伸的晶体管鳍结构和跨在所述晶体管鳍结构上的晶体管栅极结构，所述晶体管栅极结构通过晶体管栅极电介质与所述晶体管鳍结构分开；并且

其中所述电容器鳍结构具有宽度小于所述晶体管鳍结构的宽度。

6.根据权利要求5所述的IC，其中所述电容器鳍结构具有的上部部分比所述晶体管鳍结构的上部部分更具锥形。

7.根据权利要求5所述的IC，其中所述电容器鳍结构具有比所述晶体管鳍结构更多的非晶外围件。

8.根据权利要求5所述的IC，其中所述电容器鳍结构具有与所述晶体管鳍结构的高度基本相等的高度。

9.根据权利要求5所述的IC，

其中所述电容器鳍结构包括被伪沟道区域分开的一对伪源极/漏极区域；

其中所述晶体管鳍结构包括被沟道区域分开的一对源极/漏极区域；并且

其中所述电容器鳍结构的所述伪沟道区域具有的掺杂浓度大于所述晶体管鳍结构的所述沟道区域的掺杂浓度。

10.一种形成FinFET MOS电容器的方法，包括：

形成多个鳍结构，所述多个鳍结构具有从衬底的上表面向上延伸的电容器鳍结构和晶体管鳍结构；

形成位于所述多个鳍结构之间隔离电介质层以及位于所述多个鳍结构的顶部上的牺牲层；

对所述电容器鳍结构的伪沟道区域执行掺杂工艺，同时保护所述晶体管鳍结构不受所述掺杂工艺的影响；

使所述隔离电介质层凹进以暴露出所述多个鳍结构的上部部分；

形成覆盖所述多个鳍状结构的顶部以及暴露的侧壁表面的栅极电介质层；并且

在所述栅极电介质层上形成栅电极层。