[发明专利]集成电路（IC）、FinFET MOS电容器及其形成方法

说明书

本公开的各种实施例针对一种FinFETMOS电容器。在一些实施例中，FinFETMOS电容器包括衬底和从衬底的上表面向上延伸的电容器鳍结构。电容器鳍结构包括通过伪沟道区域分开的成对的伪源极/漏极区域和跨在电容器鳍结构上的电容器栅极结构。电容器栅极结构通过电容器栅极电介质与电容器鳍结构分开。本申请的实施例提供了集成电路(IC)、FinFETMOS电容器及其形成方法。

技术领域

本申请的实施例涉及集成电路(IC)、FinFET MOS电容器及其形成方法。

背景技术

半导体工业通过例如减小最小部件尺寸和/或布置电子器件彼此靠近来不断提高各种电子器件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等) 的集成密度，这样允许更多元件被集成到给定区域中。例如，多晶体管器件可以包括一个以上的鳍式场效应晶体管(FinFET)，其中第一栅电极和第二栅电极可以布置在相同的连续鳍上方以减小器件面积和/或提高制造效率。

发明内容

本申请的实施例提供一种FinFET MOS电容器，包括：衬底；电容器鳍结构，从所述衬底的上表面向上延伸，所述电容器鳍结构包括通过伪沟道区域分开的成对的伪源极/漏极区域；以及电容器栅极结构，跨在所述电容器鳍结构上，所述电容器栅极结构通过电容器栅极电介质与所述电容器鳍结构分开。

本申请的实施例提供了一种集成电路(IC)，包括：FinFET MOS电容器和FinFET晶体管，集成在衬底中；其中所述FinFET MOS电容器包括从所述衬底的上表面向上延伸的电容器鳍结构和跨在所述电容器鳍结构上的电容器栅极结构，所述电容器栅极结构通过电容器栅极电介质与所述电容器鳍结构分开；其中所述FinFET晶体管包括从所述衬底的上表面向上延伸的晶体管鳍结构和跨在所述晶体管鳍结构上的晶体管栅极结构，所述晶体管栅极结构通过晶体管栅极电介质与所述晶体管鳍结构分开；并且其中所述电容器鳍结构具有宽度小于所述晶体管鳍结构的宽度。

本申请的实施例还提供一种形成FinFET MOS电容器的方法，包括：形成多个鳍结构，所述多个鳍结构具有从衬底的上表面向上延伸的电容器鳍结构和晶体管鳍结构；形成位于所述多个鳍结构之间隔离电介质层以及位于所述多个鳍结构的顶部上的牺牲层；对所述电容器鳍结构的伪沟道区域执行掺杂工艺，同时保护所述晶体管鳍结构不受所述掺杂工艺的影响；使所述隔离电介质层凹进以暴露出所述多个鳍结构的上部部分；形成覆盖所述多个鳍状结构的顶部以及暴露的侧壁表面的栅极电介质层；并且在所述栅极电介质层上形成栅电极层。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本公开的各方面。注意，根据工业中的标准实践，各种部件未按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚，各种部件的尺寸可以任意地增加或减小。

图1示出了FinFET MOS电容器的一些实施例的示意图。

图2和图3示出了沿X方向的图1的FinFET MOS电容器的不同实施例的截面图。

图4示出了沿Y方向的图1的FinFET MOS电容器的一些实施例的截面图。

图5示出了集成电路的一些实施例的示意图，该集成电路包括集成在一个衬底中的FinFET MOS电容器和FinFET晶体管。

图6示出了沿X方向的图5的集成电路的一些实施例的截面图。

图7和图8示出了沿Y方向的图5的集成电路的不同实施例的截面图。

图9-图19示出了用于形成FinFET MOS电容器的一些实施例的一系列截面图。

图20示出了用于形成FinFET MOS电容器的方法的一些实施例的流程图。

图21A-图21B示出了集成电路的晶体管区域和电容器区域的一些另外的实施例的截面图。

具体实施方式