[发明专利]一种外延基座有效

专利信息
申请号: 202110413089.4 申请日: 2021-04-16
公开(公告)号: CN113279055B 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 俞登永;曹共柏;林志鑫;潘帅 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: C30B25/12 分类号: C30B25/12;C30B25/14;C30B29/06;H01J37/32
代理公司: 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 代理人: 谢栒
地址: 201306 上海市浦东新区中国(*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 外延 基座
【权利要求书】:

1.一种外延基座,在所述外延基座的外侧设置有第一进气口、第二进气口和出气口,所述第一进气口和所述出气口平行布置,所述第二进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交;其特征在于,包括:

片坑,所述片坑用于盛放晶圆;

边缘侧墙,所述边缘侧墙位于所述片坑的外围,所述第二进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分,所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的第二部分;

其中,所述边缘侧墙的第一部分或所述边缘侧墙的第二部分上设置有气流扰动机构,以使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同,所述气流扰动机构包括凸出结构,以使所述边缘侧墙的第一部分的厚度与所述边缘侧墙的第二部分的厚度不同,所述边缘侧墙的第一部分的厚度大于所述边缘侧墙的第二部分的厚度,或者,所述边缘侧墙的第二部分的厚度大于所述边缘侧墙的第一部分的厚度。

2.一种外延基座,在所述外延基座的外侧设置有第一进气口、第二进气口和出气口,所述第一进气口和所述出气口平行布置,所述第二进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交;其特征在于,包括:

片坑,所述片坑用于盛放晶圆;

边缘侧墙,所述边缘侧墙位于所述片坑的外围,所述第二进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分,所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的第二部分;

其中,所述边缘侧墙的第一部分或所述边缘侧墙的第二部分上设置有气流扰动机构,以使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同,所述气流扰动机构包括通孔,所述边缘侧墙的第一部分设置有通孔且所述边缘侧墙的第二部分无通孔,或者,所述边缘侧墙的第二部分设置有通孔且所述边缘侧墙的第一部分无通孔。

3.一种外延基座,在所述外延基座的外侧设置有第一进气口、第二进气口和出气口,所述第一进气口和所述出气口平行布置,所述第二进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交;其特征在于,包括:

片坑,所述片坑用于盛放晶圆;

边缘侧墙,所述边缘侧墙位于所述片坑的外围,所述第二进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分,所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的第二部分;

其中,所述边缘侧墙的第一部分或所述边缘侧墙的第二部分上设置有气流扰动机构,以使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同,所述气流扰动机构包括通孔,所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分均设置有通孔,且所述边缘侧墙的第一部分的通孔与所述边缘侧墙的第二部分的通孔的孔密度不同。

4.一种外延基座,在所述外延基座的外侧设置有第一进气口、第二进气口和出气口,所述第一进气口和所述出气口平行布置,所述第二进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交;其特征在于,包括:

片坑,所述片坑用于盛放晶圆;

边缘侧墙,所述边缘侧墙位于所述片坑的外围,所述第二进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分,所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的第二部分;

其中,所述边缘侧墙的第一部分或所述边缘侧墙的第二部分上设置有气流扰动机构,以使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同,所述气流扰动机构包括通孔,所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分均设置有通孔,且所述边缘侧墙的第一部分的通孔与所述边缘侧墙的第二部分的通孔的孔径不同。

5.如权利要求1-4中任一项所述的外延基座,其特征在于,所述边缘侧墙呈圆环形。

6.如权利要求1-4中任一项所述的外延基座,其特征在于,所述第二进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向垂直。

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