[发明专利]一种外延基座

说明书

本发明公开了一种外延基座，包括：进气口和出气口，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交；边缘侧墙，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分，所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的第二部分；其中，所述边缘侧墙的第一部分或所述边缘侧墙的第二部分上设置有气流扰动机构，以使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同。根据本发明提供的外延基座，通过设置气流扰动机构，从而使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同，改善气流的均匀性，进而提高形成的外延层的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种外延基座。

背景技术

硅外延生长是半导体制造中的一个重要工艺，它是在一定条件下，在晶圆上生长一层合乎要求的单晶层的方法，具体包括真空外延、气相外延、液相外延等，其中应用最广泛的是气相硅外延，其反应机理是在高温下使挥发性强的硅源，比如TCS(Trichlorosilane三氯硅烷)，与氢气发生反应或热解，生成的硅原子淀积在晶圆上长成外延层。

外延层的厚度均匀性和电阻率均匀性是影响半导体器件性能的重要参数，外延层的均匀性越好，器件良率与性能也越高。在外延生长过程中，外延层的厚度均匀性和电阻率均匀性在一定范围内可以通过工艺参数的调整进行优化，比如调节气流、功率/温度分布等。但外延层的厚度和电阻率的某些分布特征是受硬件结构制约的，如气流方向，气流分布比例，进出气口的位置等，会造成某些固定的分布特征。例如，在外延生长过程中，进气口和出气口位置的不对称，会导致气流的分布对称性变差，进而导致生成的外延层的均匀性变差。

因此，有必要提出一种新的外延基座，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种外延基座，包括：

进气口和出气口，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交；

边缘侧墙，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分，所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的第二部分；

其中，所述边缘侧墙的第一部分或所述边缘侧墙的第二部分上设置有气流扰动机构，以使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同。

进一步，所述气流扰动机构包括凸出结构，以使所述边缘侧墙的第一部分的厚度与所述边缘侧墙的第二部分的厚度不同。

进一步，所述边缘侧墙的第一部分的厚度大于所述边缘侧墙的第二部分的厚度，或者，所述边缘侧墙的第二部分的厚度大于所述边缘侧墙的第一部分的厚度。

进一步，所述气流扰动机构包括通孔。

进一步，所述边缘侧墙的第一部分设置有通孔且所述边缘侧墙的第二部分无通孔，或者，所述边缘侧墙的第二部分设置有通孔且所述边缘侧墙的第一部分无通孔。

进一步，所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分均设置有通孔，且所述边缘侧墙的第一部分的通孔与所述边缘侧墙的第二部分的通孔的孔密度不同。

进一步，所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分均设置有通孔，且所述边缘侧墙的第一部分的通孔与所述边缘侧墙的第二部分的通孔的孔径不同。

进一步，所述边缘侧墙呈圆环形。

进一步，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向垂直。

进一步，所述外延基座还包括：