[发明专利]具有指定区域存储器访问调度的存储器系统在审
申请号: | 202110413266.9 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN113360428A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 徐懿;努万·S·贾亚塞纳;谢源 | 申请(专利权)人: | 超威半导体公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 指定 区域 存储器 访问 调度 系统 | ||
1.一种方法,其包括:
识别用于存储器的第一和第二区域的指定区域存储器时序参数,其中,用于所述第一区域的所述指定区域存储器时序参数独立于用于所述存储器的所述第二区域的指定区域存储器时序参数;以及
响应于接收至所述第一和第二区域内的目标地址的存储器访问请求,基于所述指定区域存储器时序参数对所述存储器访问请求进行重新排序,使得所述存储器访问的序列反映所述指定区域存储器时序参数。
2.根据权利要求1所述的方法,其还包括:
将表示所识别的指定区域存储器时序参数存储到时序数据存储中。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述时序数据存储包括在逻辑裸片上的第一高速缓存和在存储器裸片上的第二高速缓存。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:
响应于下列中的至少一种重新识别所述指定区域存储器时序参数:上电复位;定时器流逝;感测的温度变化;以及来自控制器的触发。
5.根据权利要求1所述的方法,其中识别用于所述第一和第二区域的所述指定区域存储器时序参数包括:
测量每个区域的多个子区域的每个子区域的多种类型的存储器时序参数的存储器时序参数的类型;并且
将与所述子区域的每种测量类型的存储器时序参数相对应的最慢的测量的存储器时序参数识别为每个区域的每种相应测量的类型的存储器时序参数的存储器时序参数。
6.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述存储器包括动态随机存取存储器(DRAM);并且
所述存储器时序参数包括下列中的至少一个:行至列命令延迟(tRCD);列命令和数据输出之间的时间(tCL);列命令之间的时间(tCCD);预充电时间(tRP);最小行打开时间(tRAS);多组激活窗口(tFAW);读和写之间的时间(tWTR);以及写恢复时间(tWR)。
7.一种集成电路(IC)器件,其包括:
耦合于存储器的存储器控制器,所述存储器控制器被配置为:
响应于接收至与所述第一区域和所述第二区域相关联的目标地址的存储器访问请求,基于专用于所述第一区域的第一组一个或多个存储器时序参数和专用于所述第二区域的第二组一个或多个存储器时序参数,重新排序对所述存储器的多个区域的第一区域和第二区域的存储器访问,其中所述存储器控制器将对存储器访问进行重新排序,使得所述存储器访问的序列反映专用于所述第一区域和所述第二区域的所述存储器时序参数;和
响应于重新排序的存储器访问,在第一区域和第二区域访问数据。
8.根据权利要求7所述的IC器件,其还包括:
时序数据存储,所述时序数据存储保持表示所述第一组一个或多个存储器时序参数的数据;
其中响应于相对于所述第一区域执行的存储器访问,所述存储器控制器访问表示专用于所述第一区域的所述第一组一个或多个存储器时序参数的数据并基于所访问的数据调度所述存储器访问。
9.根据权利要求8所述的IC器件,其中所述时序数据存储包括在逻辑裸片上的第一高速缓存和在存储器裸片上的第二高速缓存。
10.根据权利要求8所述的IC器件,还包括:
剖析逻辑,所述剖析逻辑用于:
识别专用于所述第一区域的所述第一组一个或多个存储器时序参数;以及
识别专用于所述第二区域的所述第二组一个或多个存储器时序参数。
11.根据权利要求10所述的IC器件,其还包括:
堆叠式裸片存储器器件,其包括:
一组一个或多个堆叠式存储器裸片,所述堆叠式存储器裸片包括所述存储器;以及
电耦合至所述堆叠式存储器裸片的一组一个或多个逻辑裸片,所述组一个或多个逻辑裸片包括所述存储器控制器和所述剖析逻辑。
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