[发明专利]半导体晶粒及形成扇出型集成结构的方法在审
| 申请号： | 202110413510.1 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113284873A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 陈翠媚;廖宗仁;朱立寰;曹佩华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶粒 形成 扇出型 集成 结构 方法 | ||
1.一种半导体晶粒，其特征在于，包括：
一接合衬垫，该接合衬垫包括形成在该接合衬垫中的一孔；
一钝化层，形成在该接合衬垫的一部分之上；以及
一保护层，形成在该接合衬垫中的该孔之上。
2.根据权利要求1所述的半导体晶粒，其特征在于，该接合衬垫中的该孔横向地偏离该接合衬垫的一中心。
3.根据权利要求1所述的半导体晶粒，其特征在于，进一步包括覆盖该保护层的一第一凸块下金属化层及一第二凸块下金属化层，其中该第一凸块下金属化层及该第二凸块下金属化层位于距该半导体晶粒的一顶表面的不同垂直距离处。
4.根据权利要求3所述的半导体晶粒，其特征在于，进一步包括：
一导电柱，位于该第一凸块下金属化层之上；以及
一焊料球，位于一第二凸块下金属化层之上，其中该焊料球横向地与该导电柱间隔。
5.一种半导体晶粒，其特征在于，包括：
一接合衬垫，该接合衬垫包括形成在该接合衬垫中的一孔，其中该孔形成在0.01微米至50微米的一范围中的一直径及0.01微米至5微米的一深度；
一钝化层，形成在该接合衬垫的一部分之上；
一保护层，形成在该接合衬垫中的该孔之上；以及
一第一种晶层，形成在该接合衬垫中的该孔之上，其中该第一种晶层的一顶表面在该接合衬垫中的该孔之上轮廓化。
6.根据权利要求5所述的半导体晶粒，其特征在于，进一步包括覆盖该保护层的一第一凸块下金属化层，其中该第一凸块下金属化层包括一第一扩散阻障层及一第二种晶层。
7.一种在半导体晶粒上形成扇出型集成结构的方法，其特征在于，包括：
在该半导体晶粒上形成一接合衬垫；
在该接合衬垫的多个部分之上沉积一钝化层；以及
通过用一晶片探针向该接合衬垫施加压力而在该接合衬垫中形成一孔。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括通过该晶片探针在形成于该接合衬垫中的该孔中接触该接合衬垫来测试该半导体晶粒，以确定该半导体晶粒是否符合产品规范。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括回应符合产品规范的该半导体晶粒产品规范而在该孔中形成一第一种晶层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括在该第一种晶层之上形成一保护层。
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