[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置在审

专利信息
申请号: 202110417335.3 申请日: 2021-04-19
公开(公告)号: CN113140575A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 张震;李付强;张振宇;王利忠;邸云萍;宁策;方正;张晨阳;王亚薇;王玮;王洪润;童彬彬;姚念琦;韩佳慧;徐成福;梁蓬霞 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 杨广宇
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:

衬底基板,所述衬底基板具有显示区域;

位于所述显示区域的间隔的多个氧化物薄膜晶体管,每个所述氧化物薄膜晶体管包括金属氧化物图案,所述金属氧化物图案具有依次连接的第一部分,沟道部分,以及第二部分,所述第一部分用于接收数据信号;

以及,位于所述显示区域的彩膜层,所述彩膜层位于所述金属氧化物图案与所述衬底基板之间,所述彩膜层包括与所述多个氧化物薄膜晶体管一一对应的不同颜色的多个色阻块,每个所述色阻块在所述衬底基板上的正投影与对应的所述氧化物薄膜晶体管中所述第二部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一部分的导电性和所述第二部分的导电性均大于所述沟道部分的导电性。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:多个数据线以及第一绝缘层;

所述多个数据线位于所述金属氧化物图案与所述衬底基板之间,所述第一绝缘层位于所述多个数据线与所述金属氧化物图案之间,且所述第一绝缘层具有多个第一过孔;

其中,每个所述数据线通过至少一个所述第一过孔与至少一个所述氧化物薄膜晶体管的所述第一部分电连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层为位于所述多个数据线和所述彩膜层之间的第一钝化层;

其中,所述第二部分的目标部分靠近所述衬底基板的一面与所述衬底基板之间的距离,大于所述第一部分靠近所述衬底基板的一面与所述衬底基板之间的距离,且大于所述沟道部分靠近所述衬底基板的一面与所述衬底基板之间的距离,所述目标部分为所述第二部分在所述衬底基板上的正投影中与所述色阻块在所述衬底基板上的正投影重叠的部分。

5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层包括:位于所述多个数据线和所述彩膜层之间的第一钝化层,位于所述彩膜层和所述金属氧化物图案之间的平坦层,以及位于所述平坦层和所述金属氧化物图案的第二钝化层。

6.根据权利要求1至5任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述第二部分远离所述衬底基板的一侧的第二绝缘层,以及位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧的公共电极;

其中,所述公共电极在所述衬底基板上的正投影,与所述第二部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠,所述第二部分用于作为像素电极与所述公共电极共同驱动液晶偏转。

7.根据权利要求1至5任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述金属氧化物图案远离所述衬底基板的一侧且沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第三绝缘层,像素电极,第四绝缘层以及公共电极,所述像素电极在所述衬底基板上的正投影,与所述公共电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;

其中,所述第三绝缘层具有多个第二过孔,每个所述第二过孔用于露出一个所述氧化物薄膜晶体管的所述第二部分的至少部分,所述像素电极通过所述第二过孔与所述第二部分电连接。

8.根据权利要求1至5任一所述的阵列基板,其特征在于,每个所述氧化物薄膜晶体管还包括:位于所述显示区域的第一栅极图案;所述阵列基板还包括:第五绝缘层;所述第一栅极图案位于所述金属氧化物图案与所述衬底基板之间,所述第五绝缘层位于所述第一栅极图案与所述金属氧化物图案之间;

其中,每个所述氧化物薄膜晶体管中,所述第一栅极图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述金属氧化物图案中所述沟道部分在所述衬底基板上的正投影。

9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:沿像素行方向延伸的多个扫描线;

所述多个扫描线位于所述第一栅极图案靠近所述衬底基板的一侧,且每个所述扫描线与至少一个所述氧化物薄膜晶体管的所述第一栅极图案至少部分接触,所述第一栅极图案在所述衬底基板上的正投影沿像素列方向的长度,大于所述扫描线在所述衬底基板上的正投影沿所述像素列方向的长度。

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