[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 202110417335.3 | 申请日: | 2021-04-19 |
公开(公告)号: | CN113140575A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 张震;李付强;张振宇;王利忠;邸云萍;宁策;方正;张晨阳;王亚薇;王玮;王洪润;童彬彬;姚念琦;韩佳慧;徐成福;梁蓬霞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,涉及显示技术领域。该阵列基板中包括彩膜层,因此位于衬底基板远离彩膜层的一侧的光源与彩膜层之间的距离可以较近,可以避免每个色阻块所在区域的光线从相邻色阻块射出,进而避免显示面板出现串色现象,显示面板的显示效果较好。并且,色阻块与氧化物薄膜晶体管中金属氧化物图案的第二部分至少部分重叠,可以减小该氧化物薄膜晶体管和彩膜层的占用空间,便于高像素密度显示面板的实现。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,市场对显示面板的高像素密度(pixels per inch,PPI)的需求越来越高。
相关技术中,显示面板包括驱动电路,以及多个不同颜色的子像素,每个子像素均可以在驱动电路的驱动下发光,实现显示面板的彩色显示。
但是,由于高PPI显示面板中子像素的尺寸较小,且相邻子像素之间的间距较近,因此各个子像素发出的光线容易出现串色现象,影响显示面板的显示效果。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,可以解决相关技术中显示面板的显示效果较差的问题。所述技术方案如下:
一方面,提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括:
衬底基板,所述衬底基板具有显示区域;
位于所述显示区域的间隔的多个氧化物薄膜晶体管,每个所述氧化物薄膜晶体管包括金属氧化物图案,所述金属氧化物图案具有依次连接的第一部分,沟道部分,以及第二部分,所述第一部分用于接收数据信号;
以及,位于所述显示区域的彩膜层,所述彩膜层位于所述金属氧化物图案与所述衬底基板之间,所述彩膜层包括与所述多个氧化物薄膜晶体管一一对应的不同颜色的多个色阻块,每个所述色阻块在所述衬底基板上的正投影与对应的所述氧化物薄膜晶体管中所述第二部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
可选的,所述第一部分的导电性和所述第二部分的导电性均大于所述沟道部分的导电性。
可选的,所述阵列基板还包括:多个数据线以及第一绝缘层;
所述多个数据线位于所述金属氧化物图案与所述衬底基板之间,所述第一绝缘层位于所述多个数据线与所述金属氧化物图案之间,且所述第一绝缘层具有多个第一过孔;
其中,每个所述数据线通过至少一个所述第一过孔与至少一个所述氧化物薄膜晶体管的所述第一部分电连接。
可选的,所述第一绝缘层为位于所述多个数据线和所述彩膜层之间的第一钝化层;
其中,所述第二部分的目标部分靠近所述衬底基板的一面与所述衬底基板之间的距离,大于所述第一部分靠近所述衬底基板的一面与所述衬底基板之间的距离,且大于所述沟道部分靠近所述衬底基板的一面与所述衬底基板之间的距离,所述目标部分为所述第二部分在所述衬底基板上的正投影中与所述色阻块在所述衬底基板上的正投影重叠的部分。
可选的,所述第一绝缘层包括:位于所述多个数据线和所述彩膜层之间的第一钝化层,位于所述彩膜层和所述金属氧化物图案之间的平坦层,以及位于所述平坦层和所述金属氧化物图案的第二钝化层。
可选的,所述阵列基板还包括:位于所述第二部分远离所述衬底基板的一侧的第二绝缘层,以及位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧的公共电极;
其中,所述公共电极在所述衬底基板上的正投影,与所述第二部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠,所述第二部分用于作为像素电极与所述公共电极共同驱动液晶偏转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的