[发明专利]一种回转式CVD碳材料表面均匀沉积装置

权利要求书

1.一种回转式CVD碳材料表面均匀沉积装置，包括控制箱（1），其特征在于：所述控制箱（1）的一侧设置有输料箱（13），所述控制箱（1）的上端定位连接有定位支脚（2），所述定位支脚（2）的上端定位安装有分层式密封沉积箱（9）与滑阀泵（12），所述分层式密封沉积箱（9）的上端安装有加热箱（6），所述加热箱（6）的内部设置有可拆式温控箱（8），所述滑阀泵（12）的上端安装有过滤箱（7），所述过滤箱（7）的内部设置有回转式分层过滤装置（5），所述回转式分层过滤装置（5）的一端设置有进料管（11），所述进料管（11）的一端设置有进料输送管（10），所述加热箱（6）的一端设置有输送管（4），所述输送管（4）的一端设置有流量计（3）。

2.根据权利要求1所述的一种回转式CVD碳材料表面均匀沉积装置，其特征在于：所述回转式分层过滤装置（5）包括回转扇叶（501）、安装架（502）、定位卡架（503）、软碳毡层（504）、软石墨毡层（505）、硬质复合毡层（506）、连接管（507），所述软石墨毡层（505）位于硬质复合毡层（506）的一侧，所述软碳毡层（504）位于软石墨毡层（505）的一侧，所述定位卡架（503）位于软碳毡层（504）的一侧，所述回转扇叶（501）与安装架（502）位于定位卡架（503）的内侧，所述连接管（507）位于硬质复合毡层（506）的另一侧。

3.根据权利要求1所述的一种回转式CVD碳材料表面均匀沉积装置，其特征在于：所述可拆式温控箱（8）包括温控箱体（801）、一号加热板（802）、沉积滤网（803）、底座（804）、二号加热板（805）、加热稳定片（806），所述底座（804）位于温控箱体（801）的底部，所述沉积滤网（803）位于底座（804）的内侧，所述一号加热板（802）位于温控箱体（801）的一侧，所述二号加热板（805）位于温控箱体（801）的另一侧，所述加热稳定片（806）位于温控箱体（801）的内侧。

4.根据权利要求1所述的一种回转式CVD碳材料表面均匀沉积装置，其特征在于：所述分层式密封沉积箱（9）包括沉积层（901）、定位支块（902）、密封板（903）、沉积箱体（904）、可拆沉积板（905）、密封垫（906）、定位卡块（907），所述定位支块（902）与密封板（903）位于沉积箱体（904）的内侧，所述定位卡块（907）位于可拆沉积板（905）的外侧，所述密封垫（906）位于可拆沉积板（905）的外表面，所述沉积层（901）位于可拆沉积板（905）的底部外表面。

5.根据权利要求2所述的一种回转式CVD碳材料表面均匀沉积装置，其特征在于：所述定位卡架（503）、软碳毡层（504）、软石墨毡层（505）、硬质复合毡层（506）之间设置有连接架，所述定位卡架（503）、软碳毡层（504）、软石墨毡层（505）、硬质复合毡层（506）之间通过连接架定位连接，所述安装架（502）与定位卡架（503）之间设置有固定块，所述定位卡架（503）的内侧通过固定块与安装架（502）的外侧固定连接，所述回转扇叶（501）与安装架（502）之间设置有轴承，所述回转扇叶（501）的内壁通过轴承与安装架（502）的内侧活动连接。

6.根据权利要求3所述的一种回转式CVD碳材料表面均匀沉积装置，其特征在于：所述温控箱体（801）与一号加热板（802）、二号加热板（805）之间设置有连接卡件，所述温控箱体（801）的内侧通过连接卡件与一号加热板（802）、二号加热板（805）的内侧为可拆卸连接，所述加热稳定片（806）与温控箱体（801）之间设置有耐熔胶，所述温控箱体（801）的内表面通过耐熔胶与加热稳定片（806）的内表面固定连接。

7.根据权利要求4所述的一种回转式CVD碳材料表面均匀沉积装置，其特征在于：所述可拆沉积板（905）的外侧通过定位卡块（907）、定位支块（902）与沉积箱体（904）的内侧活动连接，所述可拆沉积板（905）与密封垫（906）之间设置有强力胶，所述可拆沉积板（905）的内表面通过强力胶与密封垫（906）的内表面固定连接。

8.根据权利要求1所述的一种回转式CVD碳材料表面均匀沉积装置，其特征在于：所述进料管（11）与回转式分层过滤装置（5）之间设置有定位支座，所述进料管（11）的一端通过定位支座与回转式分层过滤装置（5）的一端定位连接。