[发明专利]一种基于浮法联线系统

说明书

本发明公开了一种基于浮法联线系统，位于漂浮在锡槽内的基体上方，包括气体运输模块、气体反应模块、废气排出模块，气体运输模块按照气体的移动方向依次包括通气设备、纯化器、流量调节装置、蒸发升华器、混合炉，气体反应模块按照气体的移动方向依次包括反应炉、真空泵，废气排出模块包括废气处理器，基体的移动速度为390~420m/h，流量调节装置中将通气设备中导入的气体流量为300~400m³/h；本发明限制了基体板件的运动速度和气体的通入流量，使镀膜的生成达到最佳的平衡点，能得表面性质更加稳定的镀膜。

技术领域

本发明涉及玻璃制造领域，尤其涉及一种基于浮法联线系统。

背景技术

浮法玻璃是一种制作工艺，是指使用漂浮法制作的玻璃，大致原理是把融化的玻璃液倒在比重大于玻璃液的液体（液态锡）表面使玻璃成型。这种制造工艺较之其他机械制法其优点是可以减少因机械振动而产生的玻璃不均匀或含有气泡的情况发生，并且由于只要不断地往液体表面添加玻璃液理论上可以造出无限长的玻璃。

镀膜是玻璃表面进行改性处理，并使之具有新功能的行之有效的方法。玻璃镀膜所利用的技术一是离线镀膜技术，主要是引进的磁控真空阴极溅射镀膜工艺，辅之以国内自行开发研制的连续双端或单端磁控镀膜技术；二是浮法在线镀膜技术，其性能好、成本低、规模大、灵活方便、并可进行钢化热弯的进一步深加工处理受到市场的青睐，成为今后的发展方向。这种浮法在线镀膜过程中，需要涉及到多种设备，温度跨度从1550℃到20℃，其各个区段的联合控制是影响在线镀膜成品的镀膜质量的重要影响因素。目前在CVD浮法生产线的整合上，其涂层设备的安放位置一般在600℃到40℃的温度跨区内，涂层设备越靠近浮法上游（温度高的一侧），越能得到好的镀膜，而如今涂层设备的放置最高温度基本是不超过700℃的，因为较高的温度也是对工艺控制和先驱化学带的考验。因此对镀膜生产进行整合控制，这种控制如何调节也是当今镀膜生产线上要不断改进的问题之一。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种基于浮法联线系统。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种基于浮法联线系统，位于漂浮在锡槽内的基体上方，包括气体运输模块、气体反应模块、废气排出模块，所述气体运输模块按照气体的移动方向依次包括通气设备、纯化器、流量调节装置、蒸发升华器、混合炉，所述气体反应模块按照气体的移动方向依次包括反应炉、真空泵，所述废气排出模块包括废气处理器，所述基体的移动速度为390~420m/h，所述流量调节装置中将通气设备中导入的气体流量为300~400m³/h。

优选的，本发明中的联线系统包括镀膜端和基体端；其中镀膜端的工作方法包括以下步骤：S1气体运输；通气设备将反应气体经过纯化器纯化再蒸发升华进入混合炉中混合；S2气体反应；将混合气体通过反应炉，导出到基体顶部，混合气体在基体表面发生化学反应，形成固体薄膜和反应生成气体；S3流量调节；控制气体初步流量为300m³/h，再逐步调到流量为420m³/h；S4废气导出；将反应生成气体和未反应气体导出处理。

优选的，在S3流量调节的步骤中，调节速度为30m³/h。

优选的，镀膜端设置在基体端的上方，且镀膜端包括沉积区，沉积区的温度为600℃~780℃，基体的上料口温度为1350℃~1400℃，锡槽的出口端温度为20℃。

优选的，锡槽内部压力为200kPa。

优选的，导入的气体为SiH₄和CH₄。

优选的，在退火窑中，氧气体积为总气体的25％～50％。