[发明专利]一种基于浮法镀膜联线系统

说明书

本发明公开了一种基于浮法镀膜联线系统，位于漂浮在锡槽内的基体上方，包括气体运输模块、气体反应模块、废气排出模块，气体运输模块按照气体的移动方向依次包括通气设备、纯化器、流量调节装置、蒸发升华器、混合炉，气体反应模块按照气体的移动方向依次包括反应炉、真空泵，废气排出模块包括废气处理器；基体上方设置有沉积区，沉积区的温度范围为600℃~780℃；本发明限制了沉积区的温度区域，并给出了锡槽的基体温度区域分配，能通过提升沉积区的最高温度逼近能达到最佳控制位置的极限温度，提升沉积速率的同时使基体表面的固态粒子能更快更均匀更稳定地移动扩散，既能提升镀膜效率还能得到综合性能更好的镀膜。

技术领域

本发明涉及玻璃制造领域，尤其涉及一种基于浮法镀膜联线系统。

背景技术

浮法玻璃是一种制作工艺，是指使用漂浮法制作的玻璃，大致原理是把融化的玻璃液倒在比重大于玻璃液的液体（液态锡）表面使玻璃成型。这种制造工艺较之其他机械制法其优点是可以减少因机械振动而产生的玻璃不均匀或含有气泡的情况发生，并且由于只要不断地往液体表面添加玻璃液理论上可以造出无限长的玻璃。

镀膜是玻璃表面进行改性处理，并使之具有新功能的行之有效的方法。玻璃镀膜所利用的技术一是离线镀膜技术，主要是引进的磁控真空阴极溅射镀膜工艺，辅之以国内自行开发研制的连续双端或单端磁控镀膜技术；二是浮法在线镀膜技术，其性能好、成本低、规模大、灵活方便、并可进行钢化热弯的进一步深加工处理受到市场的青睐，成为今后的发展方向。这种浮法在线镀膜过程中，需要涉及到多种设备，温度跨度从1550℃到20℃，其各个区段的联合控制是影响在线镀膜成品的镀膜质量的重要影响因素。目前在CVD浮法生产线的整合上，其涂层设备的安放位置一般在600℃到40℃的温度跨区内，涂层设备越靠近浮法上游（温度高的一侧），越能得到好的镀膜，而如今涂层设备的放置最高温度基本是不超过700℃的，因为较高的温度也是对工艺控制和先驱化学带的考验。如何实现这种整合控制，是如今在线镀膜仍需要不断改进和发展的方向之一。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种基于浮法镀膜联线系统。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种基于浮法镀膜联线系统，位于漂浮在锡槽内的基体上方，包括气体运输模块、气体反应模块、废气排出模块，所述气体运输模块按照气体的移动方向依次包括通气设备、纯化器、流量调节装置、蒸发升华器、混合炉，所述气体反应模块按照气体的移动方向依次包括反应炉、真空泵，所述废气排出模块包括废气处理器；所述基体上方设置有沉积区，所述沉积区的温度范围为600℃~780℃。

优选的，锡槽的入口温度为1450℃~1550℃而出口温度在20℃与室温之间，所述基体的上料口温度为1350℃~1400℃。

优选的，所述基体为玻璃板，其运动速度为380～520m/h。

优选的，其镀膜过程包括以下步骤：S1输送气体；将反应气体通过通气设备向沉积区输送；S2分子转移；反应气体由沉积区向基体表面转移；S3分子吸附；反应分子和部分非反应物分子吸附到基体表面；S4生成薄膜；吸附相分子之间、吸附相分子和气态反应物之间在基体表面附近发生化学反应，形成固态生成物粒子和气态生成物分子，固态生成物粒子在基体表面扩散，生成固态薄膜；S5气态分子表面解析并扩散；生成的气态分子在基体表面解析并扩散离开；S6排放废气；气态生成物分子和未反应的气体均在沉积区被排放出去，由废气处理器进行处理。

优选的，导入的气体为SiH₄。

优选的，在室温高于20℃的情况下，锡槽的出口温度为室温，在锡槽出料后将所述基体在室温条件下静置1~3h；在室温低于20℃的情况下，锡槽的出口温度范围为室温~20℃内，在锡槽出料时将所述基体在室温条件下静置0.5~2h；玻璃制造厂房的室温维持在12℃以上。

优选的，在退火窑中，氧气体积为总气体的25％～50％。