[发明专利]半导体构造及制作方法

权利要求书

1.一种半导体构造，其中，包括：

第一介电层，位于光学装置之上；

第一金属化层，位于所述第一介电层之上；

第一导电线，位于所述第一金属化层中；

第一导电通孔，位于所述第一金属化层中，接触所述第一导电线；

第二金属化层，位于所述第一金属化层之上；

第二导电线，位于所述第二金属化层中，在第一界面处接触所述第一导电通孔；以及

加热器，位于所述光学装置之上，具有低于所述第一界面的最下表面及高于所述第一界面的最上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述加热器的所述最上表面低于所述第二导电线的最上表面。

3.根据权利要求1所述的半导体构造，包括：

第三导电线，位于所述第一金属化层中；

第二导电通孔，位于所述第一金属化层中，接触所述第三导电线；以及

第四导电线，位于所述第二金属化层中，在第二界面处接触所述第二导电通孔，其中：

所述加热器位于所述第一界面与所述第二界面之间，

所述加热器的所述最下表面低于所述第二界面，且

所述加热器的所述最上表面高于所述第二界面。

4.根据权利要求3所述的半导体构造，其中所述加热器的所述最上表面低于所述第四导电线的最上表面。

5.根据权利要求3所述的半导体构造，包括：

第一导电触点，位于所述第一介电层中，接触所述第一导电线及所述光学装置的第一接触区；以及

第二导电触点，位于所述第一介电层中，接触所述第三导电线及所述光学装置的第二接触区，其中所述加热器位于所述第一导电触点与所述第二导电触点之间。

6.一种半导体构造，其中，包括：

第一介电层，位于光学装置之上；

第一金属化层，位于所述第一介电层之上；

第一导电线，位于所述第一金属化层中；

第一导电通孔，位于所述第一金属化层中，接触所述第一导电线；

第二金属化层，位于所述第一金属化层之上；

第二导电线，位于所述第二金属化层中，在第一界面处接触所述第一导电通孔；以及

加热器，位于所述光学装置之上，具有不低于所述第一界面的最下表面及高于所述第一界面的最上表面。

7.根据权利要求6所述的半导体构造，其中所述加热器的所述最下表面低于所述第二导电线的最上表面。

8.根据权利要求6所述的半导体构造，其中所述加热器的第一厚度与所述第二导电线的第二厚度相等。

9.根据权利要求6所述的半导体构造，其中所述加热器的所述最上表面不高于所述第二导电线的最上表面。

10.一种半导体构造的制作方法，其中，包括：

在光学装置之上形成第一介电层；

在所述第一介电层中形成接触所述光学装置的第一导电触点；

在所述第一介电层之上形成第一金属化层；

在所述第一金属化层中形成接触所述第一导电触点的第一导电线；

在所述第一金属化层中形成接触所述第一导电线的第一导电通孔；

在所述第一金属化层之上形成第二金属化层；

在所述第二金属化层中形成在第一界面处接触所述第一导电通孔的第二导电线；以及

在所述第二金属化层中所述光学装置之上形成加热器。