[发明专利]半导体构造及制作方法

说明书

一种半导体构造包括位于光学装置之上的第一介电层。第一金属化层位于所述第一介电层之上，且第一导电线位于所述第一金属化层中。第一导电通孔位于所述第一金属化层中且接触所述第一导电线。第二金属化层位于所述第一金属化层之上。第二导电线位于所述第二金属化层中且在第一界面处接触所述第一导电通孔。加热器位于所述光学装置之上且具有低于所述第一界面的最下表面及高于所述第一界面的最上表面。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体构造及制作方法。

背景技术

互联网使用的迅速扩展已引起对包括光学链路及半导体构造在内的高速通信链路及半导体构造的需求。使用光纤的光学链路与电性链路相比具有许多优点：大的带宽、高的噪声抗扰性、减少的功率耗散及最小的串扰。由硅制成的光电子集成电路由于其可在用以制作超大规模集成(very-large scale integrated，VLSI)电路的相同代工厂中制作而为有用的。光学通信技术通常在1.3μm及1.55μm的红外波长频带中运行。由于硅在1.31μm及1.55μm的红外波长频带中的透明度以及硅的高折射率，硅的光学性质非常适合于光学信号传输。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体构造，包括：第一介电层，位于光学装置之上；第一金属化层，位于第一介电层之上；第一导电线，位于第一金属化层中；第一导电通孔，位于第一金属化层中，接触第一导电线；第二金属化层，位于第一金属化层之上；第二导电线，位于第二金属化层中，在第一界面处接触第一导电通孔；以及加热器，位于光学装置之上，具有低于第一界面的最下表面及高于第一界面的最上表面。

本发明实施例提供一种半导体构造，包括：第一介电层，位于光学装置之上；第一金属化层，位于第一介电层之上；第一导电线，位于第一金属化层中；第一导电通孔，位于第一金属化层中，接触第一导电线；第二金属化层，位于第一金属化层之上；第二导电线，位于第二金属化层中，在第一界面处接触第一导电通孔；以及加热器，位于光学装置之上，具有不低于第一界面的最下表面及高于第一界面的最上表面。

本发明实施例提供一种半导体构造的制作方法，包括：在光学装置之上形成第一介电层；在第一介电层中形成接触光学装置的第一导电触点；在第一介电层之上形成第一金属化层；在第一金属化层中形成接触第一导电触点的第一导电线；在第一金属化层中形成接触第一导电线的第一导电通孔；在第一金属化层之上形成第二金属化层；在第二金属化层中形成在第一界面处接触第一导电通孔的第二导电线；以及在第二金属化层中光学装置之上形成加热器。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的方面。注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1至图11示出根据一些实施例的处于各种制作阶段的半导体构造的剖视图。

图12示出根据一些实施例的处于制作阶段的半导体构造的俯视图。

图13示出根据一些实施例的处于制作阶段的半导体构造的剖视图。

图14示出根据一些实施例的处于制作阶段的半导体构造的俯视图。

图15至图35示出根据一些实施例的处于各种制作阶段的半导体构造的剖视图。

图36至图39示出根据一些实施例的处于各种制作阶段的半导体构造的剖视图。

图40至图44示出根据一些实施例的处于各种制作阶段的半导体构造的剖视图。

图45至图47示出根据一些实施例的半导体构造的各种配置。

图48示出根据一些实施例对半导体构造的控制。

图49示出根据一些实施例的温度相关波长移位。

具体实施方式