[发明专利]制造半导体配置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体配置的方法，所述方法包括：

在第一晶片的第一晶片界面区中形成第一分子离子层；

在第二晶片的第二晶片界面区中形成第二分子离子层；

通过在朝向所述第一晶片界面区以及所述第二晶片界面区的方向上向所述第一晶片或所述第二晶片中的至少一个施加压力来形成将所述第一晶片界面区连接到所述第二晶片界面区的第一分子键；以及

使所述第一晶片以及所述第二晶片退火以形成将所述第一晶片界面区连接到所述第二晶片界面区的第二分子键。

2.根据权利要求1所述的制造半导体配置的方法，其中：

形成所述第一分子离子层包括在所述第一晶片界面区中形成第一氢氧化层；以及

形成所述第二分子离子层包括在所述第二晶片界面区中形成第二氢氧化层。

3.根据权利要求1所述的制造半导体配置的方法，其中形成所述第二分子键包括：

在使所述第一晶片以及所述第二晶片退火之前，通过将所述第一晶片界面区暴露于氧气而在所述第一晶片界面区中形成第一二氧化硅层；以及

在使所述第一晶片以及所述第二晶片退火之前，通过将所述第二晶片界面区暴露于氧气而在所述第二晶片界面区中形成第二二氧化硅层。

4.根据权利要求3所述的制造半导体配置的方法，其中：

形成所述第一分子离子层包括在所述第一晶片界面区中形成所述第一二氧化硅层之后用氩等离子处理所述第一晶片界面区；以及

形成所述第二分子离子层包括在所述第二晶片界面区中形成所述第二二氧化硅层之后用氩等离子处理所述第二晶片界面区。

5.根据权利要求4所述的制造半导体配置的方法，其中：

形成所述第一分子离子层包括在用氩等离子处理所述第一晶片界面区之后用去离子水处理所述第一晶片界面区；以及

形成所述第二分子离子层包括在用氩等离子处理所述第二晶片界面区之后用去离子水处理所述第二晶片界面区。

6.根据权利要求1所述的制造半导体配置的方法，其中所述第二分子键为硅-氧-硅共价键。

7.根据权利要求1所述的制造半导体配置的方法，其中形成将所述第一晶片界面区连接到所述第二晶片界面区的所述第一分子键包括在所述第二晶片界面区中形成二氧化硅层。

8.根据权利要求1所述的制造半导体配置的方法，包括减小所述第二晶片的厚度。

9.一种制造半导体配置的方法，所述方法包括：

对第一晶片的第一晶片界面区进行等离子处理；

对第二晶片的第二晶片界面区进行等离子处理；

在对所述第一晶片的所述第一晶片界面区进行等离子处理之后用去离子水处理所述第一晶片界面区；

在对所述第二晶片的所述第二晶片界面区进行等离子处理之后用去离子水处理所述第二晶片界面区；

在用所述去离子水处理所述第二晶片界面区之后，在所述第二晶片界面区中形成二氧化硅层；

将所述第一晶片界面区的第一表面与所述第二晶片界面区的第二表面对准；

在将所述第一晶片界面区的所述第一表面与所述第二晶片界面区的所述第二表面对准之后，在朝向所述第一晶片界面区和所述第二晶片界面区的方向上向所述第一晶片或所述第二晶片中的至少一个施加压力；以及

使所述第一晶片以及所述第二晶片退火以形成将所述第一晶片界面区连接到所述第二晶片界面区的分子键。

10.一种制造半导体配置的方法，所述方法包括：

在第一晶片的第一晶片界面区处形成第一硅-氧分子层；

在第二晶片的第二晶片界面区处形成第二硅-氧分子层；

用去离子水分子处理所述第一硅-氧分子层以及所述第二硅-氧分子层；

将所述第一晶片界面区的第一表面与所述第二晶片界面区的第二表面对准；以及

使所述第一晶片以及所述第二晶片退火，以在所述第一晶片界面区的所述第一表面与所述第二晶片界面区的所述第二表面的界面处形成共价硅-氧-硅键以将所述第一晶片接合到所述第二晶片。