[发明专利]制造半导体配置的方法

说明书

本发明提供一种制造半导体配置的方法，包含：在第一晶片的第一晶片界面区中形成第一分子离子层；在第二晶片的第二晶片界面区中形成第二分子离子层；通过在朝向第一晶片界面区以及第二晶片界面区的方向上向第一晶片或第二晶片中的至少一个施加压力来形成将第一晶片界面区连接到第二晶片界面区的第一分子键；以及使第一晶片以及第二晶片退火以形成将第一晶片界面区连接到第二晶片界面区的第二分子键。

技术领域

本发明实施例是涉及制造半导体配置的方法。

背景技术

半导体配置用于众多的电子装置中，例如移动电话、膝上型计算机、桌上型计算机、平板计算机、手表、游戏系统以及各种其他工业、商业以及消费电子产品。半导体配置可包含具有衬底、掺杂区、未掺杂区、植入区以及隔离区中的一或多个的晶片。许多装置包含直接或间接耦合到半导体配置的电子组件。

发明内容

一种制造半导体配置的方法，包含：在第一晶片的第一晶片界面区中形成第一分子离子层；在第二晶片的第二晶片界面区中形成第二分子离子层；通过在朝向第一晶片界面区和第二晶片界面区的方向上向第一晶片或第二晶片中的至少一个施加压力来形成将第一晶片界面区连接到第二晶片界面区的第一分子键；以及使第一晶片和第二晶片退火以形成将第一晶片界面区连接到第二晶片界面区的第二分子键。

一种制造半导体配置的方法，包含：对第一晶片的第一晶片界面区进行等离子处理；对第二晶片的第二晶片界面区进行等离子处理；在对第一晶片的第一晶片界面区进行等离子处理之后用去离子水处理第一晶片界面区；在对第二晶片的第二晶片界面区进行等离子处理之后用去离子水处理第二晶片界面区；在用去离子水处理第二晶片界面区之后，在第二晶片界面区中形成二氧化硅层；将第一晶片界面区的第一表面与第二晶片界面区的第二表面对准；在将第一晶片界面区的第一表面与第二晶片界面区的第二表面对准之后，在朝向第一晶片界面区和第二晶片界面区的方向上向第一晶片或第二晶片中的至少一个施加压力；以及使第一晶片和第二晶片退火以形成将第一晶片界面区连接到第二晶片界面区的分子键。

一种制造半导体配置的方法，包含：在第一晶片的第一晶片界面区处形成第一硅-氧分子层；在第二晶片的第二晶片界面区处形成第二硅-氧分子层；用去离子水分子处理第一硅-氧分子层和第二硅氧分子层；将第一晶片界面区的第一表面与第二晶片界面区的第二表面对准；以及使第一晶片和第二晶片退火，以在第一晶片界面区的第一表面与第二晶片界面区的第二表面的界面处形成共价硅-氧-硅键以将第一晶片接合到第二晶片。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述最佳地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，出于论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1至图18为根据一些实施例的在制造的各个阶段处的半导体配置的图示。

图19为根据一些实施例的制造半导体配置的方法的图示。

图20示出根据一些实施例的示范性计算机可读介质。

具体实施方式

以下公开提供用于实施所提供主题的不同特征的若干不同实施例或实例。以下描述组件和配置的具体实例来简化本公开。当然，这些仅为实例且并不意图为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复附图标号和/或字母。这种重复是出于简单和清晰的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例或组态之间的关系。