[发明专利]半导体装置与其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：

形成相邻于一基板的多个鳍片，所述多个鳍片包含一第一鳍片、一第二鳍片及一第三鳍片；

形成相邻于所述多个鳍片的一第一绝缘材料；

减少该第一绝缘材料的厚度；

在减少该第一绝缘材料的厚度以后，形成相邻于该第一绝缘材料及所述多个鳍片的一第二绝缘材料；以及

使该第一绝缘材料与该第二绝缘材料凹陷以形成一第一浅沟槽隔离区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成该第一绝缘材料之前，形成相邻于所述多个鳍片的一衬垫层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中形成该第一绝缘材料的程序包括氧化该衬垫层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成该第一绝缘材料的程序包括保形的沉积该第一绝缘材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中减少该第一绝缘材料的该厚度的程序在该第一鳍片及该基板之间的第一边界修改该第一鳍片中的一第一应力。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中减少该第一绝缘材料的该厚度的程序在该第二鳍片和该基板之间的第二边界处修改该第二鳍片中的一第二应力，其中修改该第二应力的程度小于修改该第一应力的程度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中使该第一绝缘材料与该第二绝缘材料凹陷的程序还包括形成一第二浅沟槽隔离区域，其中该第一浅沟槽隔离区域包含该第一绝缘材料以及该第二绝缘材料，并且其中该第二浅沟槽隔离区域包含该第一绝缘材料且不包含该第二绝缘材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中减少该第一绝缘材料的该厚度的程序包含对该第一绝缘材料实施退火。

9.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：

形成相邻于一基板的一第一鳍片、一第二鳍片以及一第三鳍片，该第一鳍片与该第二鳍片被一第一开口分隔开来，该第二鳍片与该第三鳍片被一第二开口分隔开来；

在该第一开口和该第二开口中沉积第一绝缘材料，其中该第一绝缘材料的第一部分在该第一开口中且在该基板的近旁，该第一部分具有第一厚度，该第一绝缘材料的第二部分在该第一开口中并沿着该第二鳍片的侧壁，该第二部分具有第二厚度；

对该第一绝缘材料实施退火，在对该第一绝缘材料实施退火之后：

该第一部分具有第三厚度，该第三厚度小于该第一厚度；并且

该第二部分具有第四厚度，该第四厚度小于该第二厚度；

形成相邻于该第一绝缘材料的第二绝缘材料；

使该第一绝缘材料与该第二绝缘材料凹陷以形成一第一隔离区域以及一第二隔离区域；以及

形成相邻于该第一鳍片、该第二鳍片以及该第三鳍片的多个栅极结构。

10.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一第一鳍片、一第二鳍片与一第三鳍片，设置相邻于一基板，该第一鳍片以第一隔离区域和第一距离横向相隔于该第二鳍片，该第二鳍片以第二隔离区域和第二距离横向相隔于该第三鳍片，该第一距离大于该第二距离；

一第一绝缘层，沿该第一鳍片的侧壁、该基板的第一上表面以及该第二鳍片的侧壁延伸，该第一绝缘层包含小部分的该第一隔离区域；

一第二绝缘层，沿该第二鳍片的第二侧壁、该基板的第二上表面以及该第三鳍片的侧壁延伸，该第二绝缘层包含大部分的该第二隔离区域；以及

一第三绝缘层，设置相邻于该第一绝缘层，其中该第三绝缘层设置在该第一鳍片和该第二鳍片之间，该第三绝缘层包含大部分的该第一隔离区域。