[发明专利]半导体装置与其形成方法

说明书

一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，一种方法包括形成相邻于基板的多个鳍片，这些鳍片包含第一鳍片、第二鳍片及第三鳍片；形成相邻于鳍片的第一绝缘材料；减少第一绝缘材料的厚度；在减少第一绝缘材料的厚度以后，形成相邻于第一绝缘材料及鳍片的第二绝缘材料；以及使第一绝缘材料与第二绝缘材料凹陷以形成第一浅沟槽隔离区域。

技术领域

本揭露是有关于一种半导体装置的形成方法，特别是有关于包含鳍片的半导体装置。

背景技术

半导体装置用于各种电子应用中，例如个人计算机、手机、数字相机和其他电子设备。半导体装置通常是通过在半导体基板上依序的沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体层的材料来制造，并使用光刻对各种材料层进行图案化，以在其上形成电路组件和元件。

半导体工业通过不断减少最小特征尺寸来不断提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度，从而允许将更多的组件整合在给定的区域中。

发明内容

在一实施例中，一种半导体装置的形成方法包括形成相邻于一基板的多个鳍片，这些鳍片包含第一鳍片、第二鳍片及第三鳍片；形成相邻于鳍片的第一绝缘材料；减少第一绝缘材料的厚度；在减少第一绝缘材料的厚度以后，形成相邻于第一绝缘材料及鳍片的第二绝缘材料；以及使第一绝缘材料与第二绝缘材料凹陷以形成第一浅沟槽隔离区域。

在一实施例中，一种半导体装置的形成方法包括：形成相邻于一基板的第一鳍片、第二鳍片以及第三鳍片，第一鳍片与第二鳍片被第一开口分隔开来，第二鳍片与第三鳍片被第二开口分隔开来；在第一开口和第二开口中沉积第一绝缘材料，其中第一绝缘材料的第一部分在第一开口中且在基板的近旁，第一部分具有第一厚度，第一绝缘材料的第二部分在第一开口中并沿着第二鳍片的侧壁，第二部分具有第二厚度；对第一绝缘材料实施退火，在对第一绝缘材料实施退火之后：第一部分具有第三厚度，第三厚度小于第一厚度；并且第二部分具有第四厚度，第四厚度小于第二厚度；形成相邻于第一绝缘材料的第二绝缘材料；使第一绝缘材料与第二绝缘材料凹陷以形成第一隔离区域以及第二隔离区域；以及形成相邻于第一鳍片、第二鳍片以及第三鳍片的多个栅极结构。

在一实施例中，一种半导体装置包括第一鳍片、第二鳍片与第三鳍片，设置相邻于一基板，第一鳍片以第一隔离区域和第一距离横向相隔于第二鳍片，第二鳍片以第二隔离区域和第二距离横向相隔于第三鳍片，第一距离大于第二距离；第一绝缘层沿第一鳍片的侧壁、基板的第一上表面以及第二鳍片的侧壁延伸，第一绝缘层包含小部分的第一隔离区域；第二绝缘层沿第二鳍片的第二侧壁、基板的第二上表面以及第三鳍片的侧壁延伸，第二绝缘层包含大部分的第二隔离区域；以及第三绝缘层设置相邻于第一绝缘层，其中第三绝缘层设置在第一鳍片和第二鳍片之间，第三绝缘层包含大部分的第一隔离区域。

附图说明

当结合附图阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本揭露的态样。应该强调的是，根据工业中的标准作法，各种特征并没有按比例绘示。实际上，为了清楚的讨论，各种特征可以被任意增大或缩小。

图1是根据一些实施例绘示了鳍片FET的范例的立体图；

图2、3、4、5、6、7、8、9、10、11A、11B、12A、12B、13A、13B、13C、13D、14A、14B、15A、15B、16A、16B、17A、17B、17C、18A、18B、19A和19B是根据一些实施例绘示了制造鳍片FET的中间阶段的剖面图；

图20根据一些实施例绘示与非(NAND)逻辑门的范例的立体图。

【符号说明】

50:基板

52:鳍片

52A:第一鳍片

52B:第二鳍片

52C:第三鳍片

56:隔离区域