[发明专利]实现NAND门系统和实现NOR门系统的集成电路

权利要求书

1.一种实现NAND门系统的集成电路，所述集成电路包括：

第一输入，所述第一输入耦合到第一肖特基二极管的阴极；

x个附加输入，所述x个附加输入耦合到x个附加肖特基二极管的x个相应的阴极，其中，x是整数；

逆变器，所述逆变器具有逆变器输入和逆变器输出，其中：

所述集成电路被配置用于异步操作；

所述逆变器在高压电源和低压电源之间被偏置；

所述逆变器输入耦合到所述第一肖特基二极管的阳极和所述x个附加肖特基二极管的x个相应的阳极；并且

所述逆变器输出耦合到所述NAND门系统的输出；以及

源极跟随器树，所述源极跟随器树包括一个或多个N型晶体管，其中，所述源极跟随器树在所述高压电源和所述逆变器输入之间被偏置。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述逆变器是包括p型晶体管和第一n型晶体管的CMOS逆变器；

所述第一n型晶体管包括耦合到所述第一肖特基二极管的所述阳极和所述x个附加肖特基二极管的所述x个相应的阳极的栅极节点；并且

所述p型晶体管包括耦合到所述第一肖特基二极管的所述阳极和所述x个附加肖特基二极管的x个相应的阳极的栅极节点。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述第一肖特基二极管的阈值正向电压小于所述第一n型晶体管的阈值电压。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述第一肖特基二极管的阈值正向电压小于所述p型晶体管的阈值电压。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述逆变器包括第一逆变器，所述第一逆变器具有第一逆变器输入和第一逆变器输出，所述逆变器还包括：

第二逆变器，所述第二逆变器具有第二逆变器输入和第二逆变器输出，其中，所述第二逆变器输入耦合到所述第一逆变器的所述第一逆变器输出，并且所述第二逆变器输出耦合到所述第一逆变器的所述第一逆变器输入以及所述第一肖特基二极管和所述x个附加肖特基二极管的阳极。

6.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

第二n型晶体管，所述第二n型晶体管包括耦合到所述第一肖特基二极管的所述阴极的栅极节点；以及

x个附加n型晶体管，所述x个附加n型晶体管包括耦合到所述x个附加肖特基二极管的所述x个相应的阴极的x个相应的栅极节点。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述第一肖特基二极管的阈值正向电压小于所述第二n型晶体管的阈值电压。

8.根据权利要求6所述的集成电路，其中：

所述x个附加肖特基二极管的相应的肖特基二极管的阈值正向电压小于所述x个附加n型晶体管的相应的n型晶体管的阈值正向电压，并且

所述x个附加输入的相应的附加输入耦合到所述相应的肖特基二极管和所述相应的n型晶体管。

9.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述x个附加n型晶体管还包括与所述第二n型晶体管串联连接的第三n型晶体管。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，x大于或等于四。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述集成电路的传播延迟小于80皮秒，并且所述集成电路所需的均方根(RMS)功率小于50微瓦。

12.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一肖特基二极管是p型肖特基二极管。