[发明专利]一种硅基真实RGB显示器件及显示装置在审
申请号: | 202110419974.3 | 申请日: | 2021-04-19 |
公开(公告)号: | CN112993003A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 李维维;刘胜芳;赵铮涛;吕磊;许嵩;李雪原 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 尹婷婷 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真实 rgb 显示 器件 显示装置 | ||
1.一种硅基真实RGB显示器件,其特征在于,所述硅基真实RGB显示器件的空穴传输层、空穴阻挡层之间设置发光层;
所述发光层包括红光光学补偿层、共用蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层;
其中,所述红光光学补偿层设置在空穴传输层的之上,但所述空穴传输层的上表面并未被所述红光光学补偿层完全覆盖;
所述共用蓝光发光层设置在所述红光光学补偿层和未被所述红光光学补偿层覆盖的空穴传输层之上、或所述共用蓝光发光层设置在所述空穴阻挡层之下。
2.根据权利要求1所述的硅基真实RGB显示器件,其特征在于,所述红光发光层和绿光发光层相邻平行设置;所述红光光学补偿层相对于所述红光发光层等宽对应设置。
3.根据权利要求1所述的硅基真实RGB显示器件,其特征在于,所述共用蓝光发光层设置在所述红光光学补偿层和未被所述红光光学补偿层覆盖的空穴传输层之上;所述红光发光层和所述绿光发光层设置在所述共用蓝光发光层之上,但是所述共用蓝光发光层的上表面并未被所述红光发光层和所述绿光发光层完全覆盖;所述空穴阻挡层设置在所述红光发光层、所述绿光发光层和未被所述红光发光层和所述绿光发光层覆盖的共用蓝光发光层之上。
4.根据权利要求3所述的硅基真实RGB显示器件,其特征在于,所述共用蓝光发光层采用偏空穴的蓝光主体材料;所述共用蓝光发光层的LUMO能级高于所述红光发光层和所述绿光发光层的LUMO能级。
5.根据权利要求1所述的硅基真实RGB显示器件,其特征在于,所述红光发光层设置在所述红光光学补偿层之上;所述绿光发光层设置在所述空穴传输层之上但并未完全覆盖空穴传输层的上表面;所述共用蓝光发光层设置在所述红光发光层、所述绿光发光层及未被覆盖的空穴传输层之上;所述空穴阻挡层设置在所述共用蓝光发光层之上。
6.根据权利要求5所述的硅基真实RGB显示器件,其特征在于,所述共用蓝光发光层采用偏电子的蓝光主体材料;所述共用蓝光发光层的HOMO能级低于所述红光发光层和所述绿光发光层的HOMO能级。
7.根据权利要求3或5所述的硅基真实RGB显示器件,其特征在于,所述共用蓝光发光层的厚度为20nm~40nm;所述红光光学补偿层的厚度为70nm~90nm。
8.根据权利要求3或5所述的硅基真实RGB显示器件,其特征在于,所述红光光学补偿层、所述红光发光层、所述绿光发光层均使用精细金属掩膜进行蒸镀,其他膜层均使用开口掩膜进行蒸镀。
9.根据权利要求3或5所述的硅基真实RGB显示器件,其特征在于,所述硅基真实RGB显示器件由下至上依次包括:阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、封盖层。
10.一种硅基真实RGB显示装置,其特征在于,所述硅基真实RGB显示装置采用权利要求1-9任意一项所述的硅基真实RGB显示器件制备而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的