[发明专利]一种硅基真实RGB显示器件及显示装置

说明书

本发明公开了一种硅基真实RGB显示器件及显示装置，所述硅基真实RGB显示器件的空穴传输层、空穴阻挡层之间设置发光层；所述发光层包括红光光学补偿层、共用蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层；其中，所述红光光学补偿层设置在空穴传输层的之上，但所述空穴传输层的上表面并未被所述红光光学补偿层完全覆盖；所述共用蓝光发光层设置在所述红光光学补偿层和未被所述红光光学补偿层覆盖的空穴传输层之上、或所述共用蓝光发光层设置在所述空穴阻挡层之下；可解决现有硅基真实RGB显示器件性能较低、寿命较短的问题，且本发明的器件结构中无需设置电荷产生层(CGL)，有利于降低硅基中的串扰问题。

技术领域

本发明属于RGB显示器件技术领域，具体涉及一种硅基真实RGB显示器件及显示装置。

背景技术

与传统的AMOLED显示技术相比，硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。

现有的高ppi硅基OLED全彩产品大多数采用WOLED(白光OLED)+CF(彩色滤光片)技术，采用的器件结构一般为二叠层结构，该结构由下至上依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电荷产生层、绿光发光层、红光发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、封盖层，如图3所示。采用该方案存在效率低和寿命短的弊端，尤其是经过CF以后产品至少损失三分之二的效率，在高亮产品中该弊端更严重。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种硅基真实RGB显示器件及显示装置，可解决现有硅基真实RGB显示器件性能较低、寿命较短的问题。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种硅基真实RGB显示器件，所述硅基真实RGB显示器件的空穴传输层、空穴阻挡层之间设置发光层；

所述发光层包括红光光学补偿层、共用蓝光发光层、红光发光层和绿光发光层；

其中，所述红光光学补偿层设置在空穴传输层的之上，但所述空穴传输层的上表面并未被所述红光光学补偿层完全覆盖；

所述共用蓝光发光层设置在所述红光光学补偿层和未被所述红光光学补偿层覆盖的空穴传输层之上、或所述共用蓝光发光层设置在所述空穴阻挡层之下。

所述红光发光层和绿光发光层相邻平行设置；所述红光光学补偿层相对于所述红光发光层等宽对应设置。

所述红光光学补偿层的材料采用与空穴传输层相同的材料，这样在形成空穴传输层后无需更换材料可直接蒸镀得到红光光学补偿层，操作方便。

所述红光光学补偿层的材料也可选择其他可实现红光补偿的材料。

在本发明的其中一个技术方案中，所述共用蓝光发光层设置在所述红光光学补偿层和未被所述红光光学补偿层覆盖的空穴传输层之上；所述红光发光层和所述绿光发光层设置在所述共用蓝光发光层之上，但是所述共用蓝光发光层的上表面并未被所述红光发光层和所述绿光发光层完全覆盖；所述空穴阻挡层设置在所述红光发光层、所述绿光发光层和未被所述红光发光层和所述绿光发光层覆盖的共用蓝光发光层之上。

所述共用蓝光发光层采用偏空穴的蓝光主体材料；所述共用蓝光发光层的LUMO能级高于所述红光发光层和所述绿光发光层的LUMO能级，可以有效阻挡电子传输，将电子限制在发光层中，从而实现其R和G像素单独发光。

所述共用蓝光发光层的厚度为20nm～40nm，优选为25nm～35nm；所述红光光学补偿层的厚度为70nm～90nm。所述红光发光层和所述绿光发光层的厚度均为30～40nm。