[发明专利]驱动电路、升压电路及空调器

权利要求书

1.一种驱动电路(100)，其特征在于，所述驱动电路(100)包括：碳化硅MOS管(MOS1)、驱动芯片(U1)以及驱动回路(120)；

所述碳化硅MOS管(MOS1)包括栅极(G)与源极(S)，所述驱动芯片(U1)包括第一控制端(OUT)；

所述第一控制端(OUT)通过驱动回路(120)与所述碳化硅MOS管(MOS1)的栅极(G)连接，所述碳化硅MOS管(MOS1)的源极(S)接地；

所述驱动芯片(U1)用于通过所述第一控制端(OUT)输出高电平的驱动信号，以驱动所述碳化硅MOS管(MOS1)导通；

所述驱动芯片(U1)还用于通过所述第一控制端(OUT)输出低电平的驱动信号，以驱动所述碳化硅MOS管(MOS1)关断；

所述碳化硅MOS管(MOS1)的栅极(G)与所述第一控制端(OUT)之间设置有降压回路(110)，所述降压回路(110)与所述驱动回路(120)并联，所述降压回路(110)用于在所述碳化硅MOS管(MOS1)切换导通状态的情况下，将所述栅极(G)的振荡电压消耗释放。

2.根据权利要求1所述的驱动电路(100)，其特征在于，所述降压回路(110)包括第一二极管(D1)与第一电阻(R1)，所述第一二极管(D1)的阳极与所述碳化硅MOS管(MOS1)的栅极(G)连接，所述第一二极管(D1)的阴极通过所述第一电阻(R1)与所述驱动芯片(U1)的第一控制端(OUT)连接。

3.根据权利要求1所述的驱动电路(100)，其特征在于，所述驱动回路(120)包括第二电阻(R2)，所述第二电阻(R2)的第一端与所述碳化硅MOS管(MOS1)的栅极(G)连接，所述第二电阻(R2)的第二端与所述第一控制端(OUT)连接。

4.根据权利要求3所述的驱动电路(100)，其特征在于，所述驱动回路(120)还包括第二二极管(D2)以及第三电阻(R3)；

所述第二二极管(D2)的阳极与所述碳化硅MOS管(MOS1)的栅极(G)连接，所述第二二极管(D2)的阴极通过所述第三电阻(R3)与所述第一控制端(OUT)连接。

5.根据权利要求1所述的驱动电路(100)，其特征在于，所述驱动电路(100)还包括第一电容(C1)，所述第一电容(C1)的第一端与所述碳化硅MOS管(MOS1)的栅极(G)连接，所述第一电容(C1)的第二端与所述碳化硅MOS管(MOS1)的源极(S)连接，所述第一电容(C1)用于在所述碳化硅MOS管(MOS1)切换导通状态的情况下，减缓所述碳化硅MOS管(MOS1)切换导通状态产生的电流振荡。

6.根据权利要求1所述的驱动电路(100)，其特征在于，所述驱动电路(100)还包括第四电阻(R4)，所述第四电阻(R4)的第一端与所述碳化硅MOS管(MOS1)的栅极(G)连接，所述第四电阻(R4)的第二端与所述碳化硅MOS管(MOS1)的源极(S)连接。

7.根据权利要求6所述的驱动电路(100)，其特征在于，所述驱动电路(100)还包括第一稳压管(ZD1)，所述第一稳压管(ZD1)的阳极与所述碳化硅MOS管(MOS1)的源极(S)连接，所述第一稳压管(ZD1)的阴极与所述碳化硅MOS管(MOS1)的栅极(G)连接。

8.根据权利要求5所述的驱动电路(100)，其特征在于，所述第一电容(C1)的容值小于或等于330pF。

9.一种升压电路(200)，其特征在于，所述升压电路(200)包括第一电感(L1)、碳化硅二极管(D3)、电容组件以及如权利要求1至8任意一项所述的驱动电路(100)，所述第一电感(L1)的第一端用于接入电源，所述第一电感(L1)的第二端与所述碳化硅MOS管(MOS1)的漏极(D)连接；

所述第一电感(L1)的第二端还与所述碳化硅二极管(D3)的阳极连接，所述碳化硅二极管(D3)的阴极与所述电容组件的第一端电连接，所述电容组件的第二端、所述碳化硅MOS管(MOS1)的源极(S)均接地。

10.一种空调器，其特征在于，所述空调器包括如权利要求9所述的升压电路(200)。