[发明专利]驱动电路、升压电路及空调器

说明书

本申请提供了一种驱动电路、升压电路及空调器，涉及空调器技术领域，驱动电路包括：碳化硅MOS管、驱动芯片以及驱动回路；碳化硅MOS管包括栅极与源极，驱动芯片包括第一控制端；第一控制端通过驱动回路与碳化硅MOS管的栅极连接，碳化硅MOS管的源极接地；碳化硅MOS管的栅极与第一控制端之间设置有降压回路，降压回路与驱动回路并联，本申请实施例提供的方案，通过在栅极与驱动芯片的第一控制端之间设置降压回路，当碳化硅MOS管的栅极因状态切换产生尖峰电压的情况下，可以通过降压回路迅速将尖峰电压释放，防止尖峰电压将碳化硅MOS管击穿或者导致误导通，提高了电路的可靠性和稳定性。

技术领域

本发明涉及空调器技术领域，具体而言，涉及一种驱动电路、升压电路及空调器。

背景技术

碳化硅MOS管与硅材料IGBT相比，前者具有的高耐压、低阻抗、高频性、低损耗、耐高温等特性，明显优于Si IGBT。因此碳化硅MOSFET代替Si IGBT器件在电路例如功率因数校正(Power Factor Correction，PFC)电路上的应用将成为未来的趋势，除此之外碳化硅器件的应用可以使得控制器效率提升，也间接可以减少其他器件体积，如电感、散热器等，使得控制器小型化。

但在开关频率在60kHz以上的情况下，碳化硅MOS管的开启和关断会引起很高的瞬时电压和瞬时电流，在栅极处产生电流电压尖峰和振荡，可能引起碳化硅MOS管栅极电压过高，导致击穿或者误导通；碳化硅MOS管栅极阈值电压的最小值比硅材料IGBT的栅极阈值电压的最小值要低很多，一般在2.7V左右，因此在关断过程中的栅极处的电流电压尖峰和振荡，很可能引起栅极误导通。

综上所述，碳化硅MOS管在高频工作时容易出现击穿或误导通的情况。

发明内容

本发明要解决的问题至少包括改善碳化硅MOS管在高频工作时容易出现击穿或者误导通等问题。

为解决上述问题，本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本发明提供一种驱动电路，所述驱动电路包括：碳化硅MOS管、驱动芯片以及驱动回路；

所述碳化硅MOS管包括栅极与源极，所述驱动芯片包括第一控制端；

所述第一控制端通过驱动回路与所述碳化硅MOS管的栅极连接，所述碳化硅MOS管的源极接地；

所述驱动芯片用于通过所述第一控制端输出高电平的驱动信号，以驱动所述碳化硅MOS管导通；

所述驱动芯片还用于通过所述第一控制端输出低电平的驱动信号，以驱动所述碳化硅MOS管关断；

所述碳化硅MOS管的栅极与所述第一控制端之间设置有降压回路，所述降压回路与所述驱动回路并联，所述降压回路用于在所述碳化硅MOS管切换导通状态的情况下，将所述栅极的振荡电压消耗释放。

本申请实施例提供的方案，通过在栅极与驱动芯片的第一控制端之间设置降压回路，当碳化硅MOS管的栅极因状态切换产生尖峰电压的情况下，可以通过降压回路迅速将尖峰电压释放，防止尖峰电压将碳化硅MOS管击穿或者导致误导通，提高了电路的可靠性和稳定性。

在可选的实施方式中，所述降压回路包括第一二极管与第一电阻，所述第一二极管的阳极与所述碳化硅MOS管的栅极连接，所述第一二极管的阴极通过所述第一电阻与所述驱动芯片的第一控制端连接。

通过设置第一二极管和第一电阻，在碳化硅MOS管的栅极因状态切换产生尖峰电压的情况下，使得尖峰电压可以通过第一二极管和第一电阻单向流动至第一控制端，碳化硅MOS管的栅极电压迅速降低，保了栅极电压的稳定，避免因栅极电压尖峰和振荡造成击穿和误导通。

在可选的实施方式中，所述驱动回路包括第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述碳化硅MOS管的栅极连接，所述第二电阻的第二端与所述第一控制端连接。