[发明专利]一种天线结构与相控阵天线有效
申请号: | 202110421891.8 | 申请日: | 2021-04-20 |
公开(公告)号: | CN112993560B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 郭凡玉;陈智慧;王新辉;许峰凯;朱蕾 | 申请(专利权)人: | 成都天锐星通科技有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 荣颖佳 |
地址: | 610002 四川省成都市高新区中国(四川)*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 天线 结构 相控阵 | ||
本申请提供了一种天线结构与相控阵天线,涉及相控阵天线技术领域。该天线结构包括馈电结构、辐射贴片、第一馈电探针、第二馈电探针、第三馈电探针以及功分器,第一馈电探针、第二馈电探针、第三馈电探针以及功分器均与辐射贴片连接,第一馈电探针、第二馈电探针、第三馈电探针均分别与功分器的支路连接,馈电结构与功分器的合口连接,其中,第一馈电探针、第二馈电探针以及第三馈电探针呈等边三角形排布,以使第一馈电探针、第二馈电探针以及第三馈电探针的馈电相位差依次增加120°。本申请提供的天线结构与相控阵天线具有改善了相位中心偏移,避免了旋转组阵时相位中心周期性变化引起的栅瓣的优点。
技术领域
本申请涉及相控阵天线技术领域,具体而言,涉及一种天线结构与相控阵天线。
背景技术
目前,圆极化天线广泛应用于我们的日常生活中。
然而,目前的圆极化天线普遍采用单馈和双馈形式的天线馈电结构,由于单馈和双馈形式的馈电结构不对称,因此可能出现天线方向图不圆以及相位中心偏离天线几何中心,相位中心偏移在旋转组阵时阵面扫描会出现栅瓣的情况。
综上,现有的圆极化天线存在天线相位中心出现偏移,存在栅瓣的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种天线结构与相控阵天线,以解决现有技术中圆极化天线存在天线相位中心出现偏移,存在栅瓣的问题。
为了实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:
一方面,本申请提供了一种天线结构,所述天线结构包括馈电结构、辐射贴片、第一馈电探针、第二馈电探针、第三馈电探针以及功分器,所述第一馈电探针、所述第二馈电探针、所述第三馈电探针以及所述功分器均与所述辐射贴片连接,所述第一馈电探针、所述第二馈电探针、所述第三馈电探针均分别与所述功分器的支路连接,所述馈电结构与所述功分器的合口连接,其中,
所述第一馈电探针、所述第二馈电探针以及所述第三馈电探针呈等边三角形排布,以使所述第一馈电探针、所述第二馈电探针以及所述第三馈电探针的馈电相位差依次增加120°。
可选地,所述馈电结构包括馈电线、类同轴内导体、类同轴外导体以及耦合缝隙,所述类同轴内导体分别与所述类同轴外导体、所述馈电线连接,所述馈电线与所述功分器的合口通过所述耦合缝隙实现耦合,并进行射频信号的传输。
可选地,所述天线结构还包括第一介质层、第二介质层以及第三介质层,所述第一介质层、所述第二介质层以及所述第三介质层逐层连接;
所述第一馈电探针、所述第二馈电探针以及所述第三馈电探针均穿过所述第一介质层,所述类同轴内导体穿过所述第三介质层。
可选地,所述第三介质层包括第一子介质层、第二子介质层、第三子介质层、第四子介质层以及第五子介质层,所述第一子介质层、所述第二子介质层、所述第三子介质层、所述第四子介质层以及所述第五子介质层逐层连接;
所述类同轴外导体穿过所述第一子介质层、所述第二子介质层、所述第三子介质层以及所述第四子介质层;所述类同轴内导体穿过所述第一子介质层、所述第二子介质层、所述第三子介质层、所述第四子介质层以及所述第五子介质层。
可选地,所述第二介质层包括金属层,在每个所述子介质层上设置通孔后压合形成所述第三介质层。
可选地,所述第一介质层包括第六子介质层与第七子介质层,在所述第六子介质层与所述第七子介质层上设置通孔后压合形成所述第一介质层。
可选地,所述功分器包括三合一功分器。
另一方面,本申请还提供了一种所述相控阵天线,包括多个上述的天线结构,多个所述天线结构旋转拼接组成所述相控阵天线。
可选地,每个所述天线结构的旋转角度与馈电相位满足公式:
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