[发明专利]具有感测放大器的存储器阵列下工艺边缘垫

说明书

本申请涉及具有感测放大器的存储器阵列下工艺边缘垫。具有经分割存取线的边缘存储器阵列垫及形成于所述边缘存储器阵列垫下的一组感测放大器可在将存取线分段半部分离的区中。所述一组感测放大器中的感测放大器耦合到半部存取线对的第一子集的相对端。所述边缘存储器阵列垫进一步包含存取线连接器，其被配置成跨越由所述一组感测放大器占用的所述区连接所述半部存取线对的第二子集，以形成延伸到耦合在所述边缘存储器阵列垫与内存储器阵列垫之间的一组感测放大器的经组合或经延伸存取线。

技术领域

本申请的实施例涉及存储器阵列实施方案，特定来说，涉及具有感测放大器的存储器阵列下工艺边缘垫。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM)装置阵列的当前实施方案实施存储器单元的偶数及奇数行分段交错的行分段区段。感测放大器连接到依序行分段，且在读取另一行分段时，将两个行分段中的一个用作参考。结果，在阵列的边缘处，行分段区段包含边界行分段。这些边界分段与其它行分段区段交错，但其它行分段区段不连接到允许其用于存储数据的电路。因此，在这些边界行分段区段中，仅区段中的存储器单元的一半用于存储数据。因为仅使用存储器单元的一半，所以阵列的边缘周围的相当大的区域被未使用存储器单元耗用。

发明内容

根据本发明的实施例，提供一种设备，其包括：第一存储器阵列垫，其包括在第一方向上形成且耦合到第一计数的存储器单元行的存取线分段；第二存储器阵列垫，其邻近于所述第一存储器阵列垫的边缘形成；第一感测放大器，其形成于所述第一存储器阵列垫与所述第二存储器阵列垫之间的区域下，其中所述第一感测放大器耦合到所述第一存储器阵列垫的所述存取线分段及经组合存取线分段；及第二感测放大器，其形成于相应空间下且耦合到第一对存取线分段中的每一个。所述第二存储器阵列垫可包括：第一对存取线分段，其在所述第一方向上形成，其中所述第一对存取线分段通过相应空间彼此分离，其中所述第一对存取线分段中的每一个耦合到第二计数的存储器单元行；及第二对存取线分段，其在所述第一方向上形成且邻近所述第一对存取线分段，其中所述第二对存取线分段经由存取线连接器跨越所述相应空间连接以形成经组合存取线分段，其中所述第二对存取线分段中的每一个耦合到所述第二计数的存储器单元行。

根据本发明的实施例，提供一种设备，其包括边缘存储器阵列垫。所述边缘存储器阵列垫包括：第一区段，其包括在第一方向上形成的第一多个交错存取线分段，其中所述第一多个交错存取线分段中的每一个耦合到一定计数的存储器单元行；第二区段，其在所述第一方向上与所述第一区段的邻近边缘分离一定空间，且包括在所述第一方向上延伸的第二多个交错存取线分段，其中所述第二多个交错存取线分段中的每一个耦合到所述计数的存储器单元行；及感测放大器组，其包括在所述边缘存储器阵列垫上方或下形成于所述第一区段的所述邻近边缘与所述第二区段之间的所述空间中的多个感测放大器，其中所述多个感测放大器耦合到所述第一多个交错存取线分段的第一子集及所述第二多个交错存取线分段的第一子集；及多个存取线连接器，其被配置成跨越所述空间延伸以将所述第一多个交错存取线分段的第二子集耦合到所述第二多个交错存取线分段的第二子集，以形成多个经延伸线分段。

根据本发明的实施例，提供一种方法，其包括：通过以下操作形成存储器阵列的边缘存储器阵列垫：形成多个存取线分段对，其中所述多个存取线分段对中的每一个在共同区处分离；在所述边缘存储器阵列垫下形成垂直于所述多个存取线分段对沿着所述共同区延伸的一组感测放大器，其中相应感测放大器耦合到所述多个存取线分段对中的奇数对；形成多个存取线连接器，所述多个存取线连接器被配置成在与所述多个存取线分段对相同的层级处跨越所述共同区延伸，其中所述多个存取线对中的每一个被配置成跨越所述共同区将所述多个存取线分段对中的相应偶数对电耦合在一起，以形成相应经组合存取线。

附图说明

图1说明了根据本发明的实施例的半导体装置的示意性框图。

图2说明了根据本发明的实施例的存储器阵列的一部分的示意性框图。

图3说明了根据本发明的实施例的边缘存储器阵列垫的一部分的示意图的透视图。