[发明专利]具有晶圆间接合结构的存储装置

说明书

本发明提供具有晶圆间接合结构的存储装置。一种存储装置包括：单元晶圆，在其一个表面上具有第一焊盘；以及外围晶圆，其接合到所述单元晶圆的所述一个表面，并且具有联接到第一焊盘的第二焊盘。所述单元晶圆包括：存储单元阵列；联接至所述存储单元阵列的第一位线和第二位线；以及位线选择电路，其配置成将所述第一位线和所述第二位线中的一者联接到所述第一焊盘。所述外围晶圆包括：页缓冲器低电压电路，其包括与所述第一位线对应的第一页缓冲器低电压单元以及与所述第二位线对应的第二页缓冲器低电压单元；以及页缓冲器高电压电路，其配置成将所述第一页缓冲器低电压单元和所述第二页缓冲器低电压单元中的一者联接到所述第二焊盘。

技术领域

各种实施方式总体上涉及半导体技术，特别涉及具有晶圆间接合结构的存储装置。

背景技术

随着对便携式电话、移动存储装置和数码相机的需求增加，对主要用作这些产品的存储装置的非易失性存储装置的需求也在增加。在非易失性存储装置中，NAND闪存装置被广泛地用作数据存储装置。

近来，作为用于实现存储装置的大容量和高性能的措施，已经提出了一种结构，其中，不是在单个晶圆上而是在至少两个晶圆上制造存储装置中包括的组件，然后将晶圆彼此接合以联接这些组件。

发明内容

各个实施方式旨在减少存储装置的故障并减小其尺寸。

在一个实施方式中，一种存储装置可以包括：单元晶圆，在所述单元晶圆的一个表面上具有第一焊盘；以及外围晶圆，所述外围晶圆接合到所述单元晶圆的所述一个表面，并且具有联接到所述第一焊盘的第二焊盘。所述单元晶圆可以包括：存储单元阵列；联接至所述存储单元阵列的第一位线和第二位线；以及位线选择电路，所述位线选择电路配置成将所述第一位线和所述第二位线中的一者联接到所述第一焊盘。所述外围晶圆可以包括：页缓冲器低电压电路，所述页缓冲器低电压电路包括与所述第一位线对应的第一页缓冲器低电压单元以及与所述第二位线对应的第二页缓冲器低电压单元；以及页缓冲器高电压电路，所述页缓冲器高电压电路配置成将所述第一页缓冲器低电压单元和所述第二页缓冲器低电压单元中的一者联接到所述第二焊盘。

在一个实施方式中，一种存储装置可以包括：单元晶圆，在所述单元晶圆的一个表面上具有多个第一焊盘；以及外围晶圆，所述外围晶圆接合到所述单元晶圆的所述一个表面，并且具有联接到所述多个第一焊盘的多个第二焊盘。所述单元晶圆可以包括：存储单元阵列；多条位线，所述多条位线联接至所述存储单元阵列，包括多条第一位线以及多条第二位线；以及位线选择电路，所述位线选择电路配置成将所述多条第一位线或所述多条第二位线联接到所述多个第一焊盘。所述外围晶圆可以包括：页缓冲器低电压电路，所述页缓冲器低电压电路包括与所述多条第一位线对应的多个第一页缓冲器低电压单元以及与所述多条第二位线对应的多个第二页缓冲器低电压单元；以及页缓冲器高电压电路，所述页缓冲器高电压电路配置成将所述多个第一页缓冲器低电压单元或所述多个第二页缓冲器低电压单元联接到所述多个第二焊盘。

在一个实施方式中，一种存储装置可以包括：存储单元阵列；以及页缓冲器电路，所述页缓冲器电路经由第一位线和第二位线联接到所述存储单元阵列。所述页缓冲器电路可以包括：位线选择电路，所述位线选择电路设置在单元晶圆中，所述单元晶圆包括所述存储单元阵列并且在所述单元晶圆的一个表面上具有第一焊盘，并且所述位线选择电路配置成将所述第一位线和所述第二位线中的一者联接至所述第一焊盘；页缓冲器低电压电路，所述页缓冲器低电压电路设置在外围晶圆中，所述外围晶圆接合到所述单元晶圆的所述一个表面，并且所述外围晶圆在其接合到所述单元晶圆的一个表面上具有与所述第一焊盘联接的第二焊盘，所述页缓冲器低电压电路包括与所述第一位线对应的第一页缓冲器低电压单元和与所述第二位线对应的第二页缓冲器低电压单元；以及页缓冲器高电压电路，所述页缓冲器高电压电路设置在所述外围晶圆中，并配置成将所述第一页缓冲器低电压单元和所述第二页缓冲器低电压单元中的一者联接到所述第二焊盘。

附图说明

图1是示出根据本公开的一个实施方式的存储装置的框图。