[发明专利]一种三维存储器失效分析样品制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器失效分析样品制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、对封装进行电测试，根据电测试结果确认失效位置，并记录下失效的log，使用封装开封技术去除待分析芯片上方的塑封料(EMC)及芯片；

步骤二、使用芯片表面delayer技术，去除待分析芯片表面的金属互连层，将通孔(Channel Hole)阵列全部暴露；

步骤三、将芯片置于聚焦离子束设备中，使用图像采集系统，对芯片整个区域，并按照固定放大倍率进行局部放大并按照设定步幅移动拍照，完成照片矩阵，生成照片序列；

步骤四、将步骤三拍摄的照片按照固定顺序传输到图像处理及合成系统中，通过系统合成，将以上照片按序列合成一张完整的实际芯片图；

步骤五、将上述实际芯片图与芯片设计图一同传输到图像校对及修正系统中，并使用图像识别技术对实际芯片照片与设计图进行比对修正，在实际芯片图上标注出发生失效的通孔的位置，并记录相对应的照片序号及在照片中的相对位置；

步骤六、将聚焦离子束样品台按照设定位移移动到步骤五中确认的照片序号及在照片中的对应位置，并找到失效通孔；

步骤七、使用离子束以确定的失效通孔为中心，设定边长为20um的目标区，以阶梯状逐层递减去除存储单元，通过单元高度及层数控制下挖深度，同时利用坑壁确认实际层数，最终精确定位到失效单元正上方；

步骤八、最后使用离子束切片技术提取切面分析。

2.根据权利要求1所述的一种三维存储器失效分析样品制备方法，其特征在于，所述芯片上的塑封料用发烟硝酸去除，加热温度185℃。

3.根据权利要求1所述的一种三维存储器失效分析样品制备方法，其特征在于，所述步骤一如存在多层芯片堆叠情况，可以使用化学开封或机械研磨开封或激光开封等方法。

4.根据权利要求1所述的一种三维存储器失效分析样品制备方法，其特征在于，步骤三所述放大倍率拍照时放大倍率一般固定为10000或者20000倍。