[发明专利]一种半导体单晶硅的拉晶炉

权利要求书

1.一种半导体单晶硅的拉晶炉，包括炉体、设置在所述炉体内的坩埚和加热器，其特征在于，所述炉体内设有梯度测温装置，炉体的底部设有温度测试仪；

所述加热器设置在所述坩埚的外围，包括间隔一定距离上下布置的上加热器和下加热器，所述上加热器和下加热器的发热区高度为坩埚高度的1/4至1/2，且上加热器与下加热器的加热区之间间隔为50mm至坩埚高度的1/3。

2.根据权利要求1所述的半导体单晶硅的拉晶炉，其特征在于，所述的坩埚包括用于盛装熔体的石英坩埚和包裹在所述石英坩埚外的石墨或碳碳纤维坩埚，所述的加热器设置在所述石墨或碳碳纤维坩埚的外侧。

3.根据权利要求1所述的半导体单晶硅的拉晶炉，其特征在于，所述的石墨或碳碳纤维坩埚的底部设有坩埚轴，所述的温度测试仪为设置在所述坩埚轴的底端的红外温度测试仪。

4.根据权利要求3所述的半导体单晶硅的拉晶炉，其特征在于，所述的坩埚轴具有沿轴线方向的光通道，所述的红外温度测试仪的红外光通过所述光通道。

5.根据权利要求1所述的半导体单晶硅的拉晶炉，其特征在于，所述的炉体内设有保温内筒，所述保温内筒设置在所述加热器外。

6.根据权利要求5所述的半导体单晶硅的拉晶炉，其特征在于，所述的梯度测温装置包括沿竖直方向间隔固定在所述保温内筒上的热电偶温度探头。

7.根据权利要求6所述的半导体单晶硅的拉晶炉，其特征在于，所有热电偶温度探头汇总到一个石英或陶瓷总管内，总管穿透保温层并将各热电偶温度探头的数据信号线与炉体的相应数据线相连，并最终与信号采集与控制系统连接。

8.根据权利要求1所述的半导体单晶硅的拉晶炉，其特征在于，所述的坩埚的底部正下方设有底部加热器。