[发明专利]基片处理装置在审
申请号: | 202110429095.9 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113594059A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 池田义谦;平田彻 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:
抓持基片的周缘部的抓持机构;和
基座板,其位于被所述抓持机构抓持的所述基片的下方,用于支承所述抓持机构,
所述基座板包括液排放孔,所述液排放孔用于排出从所述基片沿着所述抓持机构而流到所述基座板的上表面的处理液。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
所述基座板包括设置在所述基座板的上表面并沿所述基片的周向延伸的槽部,
所述液排放孔设置在所述槽部。
3.如权利要求2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述基座板包括沿所述周向设置于所述槽部的多个所述液排放孔,
位于所述槽部中的第一区域的所述液排放孔彼此的间隔比位于所述槽部中的所述第一区域以外的第二区域的所述液排放孔彼此的间隔小,其中所述第一区域是所述槽部中的所述抓持机构的周边区域。
4.如权利要求2或3所述的基片处理装置,其特征在于:
所述基座板包括多个所述液排放孔,
多个所述液排放孔包括位于所述槽部中的第一区域的第一液排放孔和位于所述槽部中的所述第一区域以外的第二区域的第二液排放孔,其中所述第一区域是所述槽部中的所述抓持机构的周边区域。
所述第一液排放孔的开口面积比所述第二液排放孔的开口面积大。
5.如权利要求2或3所述的基片处理装置,其特征在于:
所述槽部包括位于所述基座板的内周侧的第一周壁和位于所述基座板的外周侧的第二周壁,
所述第一周壁的高度比所述第二周壁的高度高。
6.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
所述液排放孔包括在所述基座板的上表面开口的流入口和在所述基座板的下表面开口的流出口,
所述流出口位于比所述流入口靠所述基座板的外周侧的位置。
7.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
包括引导部件,其以靠近被所述抓持机构抓持的所述基片的周缘部的方式配置,经由所述处理液与所述基片相连来使所述处理液从所述基片流出,
所述引导部件具有亲水性的表面。
8.如权利要求7所述的基片处理装置,其特征在于:
包括使所述引导部件升降的升降驱动部。
9.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
所述基座板包括:
贯通所述基座板的贯通孔,其形成在比所述液排放孔靠所述基座板的内侧的位置;和
设置在所述基座板的上表面并包围所述贯通孔的周壁部。
10.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于,包括:
对用所述抓持机构抓持的所述基片供给处理液的液供给部;
使所述基座板旋转的旋转驱动部;和
对所述液供给部和所述旋转驱动部进行控制的控制部,
所述控制部执行液处理和干燥处理,其中,所述液处理一边控制所述旋转驱动部使所述基片以第一转速旋转,一边控制所述液供给部对所述基片供给所述处理液,所述干燥处理在所述液处理之后通过控制所述旋转驱动部使所述基片的转速增大至比所述第一转速大的第二转速,来将所述基片上的所述处理液甩去,
在所述控制部执行所述液处理和所述干燥处理的情况下,在使所述基片的转速增大至所述第二转速之前,使所述基片的转速增大至比所述第一转速大且比所述第二转速小的第三转速。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造