[发明专利]基片处理装置在审
申请号: | 202110429095.9 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113594059A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 池田义谦;平田彻 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本发明提供一种基片处理装置,其能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板而到达驱动部。本发明的基片处理装置包括抓持机构和基座板。抓持机构抓持基片的周缘部。基座板位于被抓持机构抓持的基片的下方,用于支承抓持机构。此外,基座板包括液排放孔,该液排放孔用于排出从基片沿着抓持机构而流到基座板的上表面的处理液。
技术领域
本发明涉及一种基片处理装置。
背景技术
目前已知一种对半导体晶片等基片供给处理液,来对基片进行处理的基片处理装置。
专利文献1公开了一种基片处理装置,其包括:保持基片并使其旋转的基片保持部;和对基片保持部所保持的基片供给处理液的供给部。
基片保持部包括:位于基片下方的基座板(base plate);设置在基座板的周缘部的抓持机构,其能够抓持基座板的周缘部;和设置在基座板的中央下部的旋转轴,其能够使基座板旋转。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-92387号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种技术,能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板到达驱动部。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个技术方案的基片处理装置包括抓持机构和基座板。抓持机构抓持基片的周缘部。基座板位于被抓持机构抓持的基片的下方,用于支承抓持机构。此外,基座板包括液排放孔,该液排放孔用于排出从基片沿着抓持机构而流到基座板的上表面的处理液。
发明效果
依照本发明,能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板到达驱动部。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的图。
图2是表示实施方式的处理单元的概略结构的图。
图3是表示实施方式的基片保持机构的具体结构的截面图。
图4是表示在实施方式的基片保持机构将晶片配置于上方位置的状态的图。
图5是实施方式的基座板的平面图。
图6是表示实施方式的液排放孔的结构的截面图。
图7是表示实施方式的回收杯状体的结构的截面图。
图8是表示实施方式的处理单元执行的一连串基片处理的步骤的流程图。
图9是表示实施方式的一连串基片处理中晶片的转速变化的图。
图10是表示第一变形例的保持部的结构的截面图。
图11是表示第一变形例的第一引导部升降处理的步骤的流程图。
图12是表示第二变形例的槽部的结构的截面图。
图13是表示第三变形例的槽部的结构的截面图。
具体实施方式
下面,参照附图,对用于实施本发明的基片处理装置的方式(下文记作“实施方式”)详细地进行说明。此外,本发明并不限定于该实施方式。此外,各实施方式能够在处理内容不发生矛盾的范围内适当组合。另外,在以下各实施方式中,对同一部位标注同一附图标记并省略重复的说明。
另外,在下述的实施方式中,有时会使用“一定”、“正交”、“垂直”或“平行”等表述,但这些表述并不要求严格的“一定”、“正交”、“垂直”或“平行”。即,上述各表述允许例如制造精度、设置精度等误差。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造