[发明专利]蚀刻装置及蚀刻方法

权利要求书

1.一种对基片进行蚀刻的蚀刻装置，其特征在于，包括：

腔室；

基片支承体，其设置在所述腔室的内部，具有电极、设置在所述电极上的静电吸盘和以包围载置在所述静电吸盘上的基片的方式配置的导电性的边缘环；

高频电源，其供给用于从所述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；和

阻抗可变的RF滤波器，

所述边缘环和所述RF滤波器经由连接部直接电连接。

2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于：

还包括控制部，

所述控制部构成为能够执行通过变更所述阻抗来变更产生于所述边缘环的电压的处理。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻装置，其特征在于：

还包括供给用于将离子引入到所述基片的高频偏置电功率的第二高频电源，

所述高频偏置电功率的频率为5MHz以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述连接部具有将所述边缘环与所述RF滤波器连接的导体结构。

5.根据权利要求4所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述连接部还具有设置在所述边缘环与所述导体结构之间的导体部件。

6.根据权利要求5所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述导体部件为弹性体，

通过所述导体部件的弹力，能够调节作用于所述边缘环与所述导体结构之间的接触压力。

7.根据权利要求5或6所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述连接部具有多个所述导体部件，

多个所述导体部件等间隔地设置在与所述边缘环同心的圆上。

8.根据权利要求5或6所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述导体部件呈环状地设置在与所述边缘环同心的圆上。

9.根据权利要求4所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述连接部还包括夹持部件，该夹持部件将所述边缘环夹于所述导体结构侧，并连接该边缘环与导体结构。

10.根据权利要求4～9中任一项所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述连接部还包括中转部件，该中转部件在所述导体结构中呈环状地设置在与所述边缘环同心的圆上。

11.根据权利要求4～10中任一项所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述边缘环通过静电力被吸附并保持于所述静电吸盘的周缘部，

通过所述静电力，能够调节作用于所述边缘环与所述导体结构之间的接触压力。

12.根据权利要求11所述的蚀刻装置，其特征在于，还包括：

向所述边缘环的下表面与所述静电吸盘的边缘环载置面之间的空间供给气体的供气部；

对所述边缘环的下表面与所述静电吸盘的边缘环载置面之间的空间抽真空的排气部；和

控制所述供气部和所述排气部的控制部，

所述控制部在所述边缘环被保持在所述静电吸盘上时，控制所述供气部和所述排气部，以向所述边缘环的下表面作用希望的压力。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述阻抗可变的RF滤波器包含第一RF滤波器和第二RF滤波器。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述导电性的边缘环由Si或SiC形成。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述RF滤波器具有可变更所述阻抗的一个以上的可变元件。