[发明专利]蚀刻装置及蚀刻方法

说明书

本发明提供一种对基片进行蚀刻的装置，其包括：腔室；基片支承体，其设置在所述腔室的内部，具有电极、设置在所述电极上的静电吸盘和以包围载置在所述静电吸盘上的基片的方式配置的导电性的边缘环；高频电源，其供给用于从所述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；和阻抗可变的RF滤波器。所述边缘环和所述RF滤波器经由连接部直接电连接。根据本发明，能够在蚀刻中适当地控制基片的边缘区域的倾斜角度。

技术领域

本发明涉及蚀刻装置及蚀刻方法。

背景技术

在专利文献1中公开了一种对晶片实施等离子体处理的等离子体处理装置，其包括：配置于腔室内且用于载置晶片的载置台；和在载置台上以包围晶片的方式配置的边缘环。在该等离子体蚀刻装置中，通过对由等离子体消耗的边缘环施加负的直流电压，来消除鞘层的偏斜，使离子在晶片的整面垂直地入射。由此，在晶片的边缘区域中，修正表示通过蚀刻形成的凹部相对于晶片的厚度方向的倾斜程度的倾斜角度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-227063号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的技术是在蚀刻中适当地控制基片的边缘区域的倾斜角度。

用于解决问题的技术手段

本发明的一方式是对基片进行蚀刻的装置，其包括：腔室；基片支承体，其设置在所述腔室的内部，具有电极、设置在所述电极上的静电吸盘和以包围载置在所述静电吸盘上的基片的方式配置的导电性的边缘环；高频电源，其供给用于从所述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；和阻抗可变的RF滤波器。所述边缘环和所述RF滤波器经由连接部直接电连接。

发明效果

根据本发明，能够在蚀刻中适当地控制基片的边缘区域的倾斜角度。

附图说明

图1是表示本实施方式的蚀刻装置的结构的概略的纵剖视图。

图2是本实施方式的蚀刻装置的电源系统的说明图。

图3是表示由边缘环的消耗引起的鞘层的形状的变化及离子的入射方向的倾斜的产生的说明图。

图4是表示鞘层的形状的变化及离子的入射方向的倾斜的产生的说明图。

图5是表示来自直流电源的直流电压、第二RF滤波器的阻抗和倾斜修正角度的关系的说明图。

图6是表示倾斜角度的控制方法的说明图。

图7是表示倾斜角度的控制方法的说明图。

图8是表示倾斜角度的控制方法的说明图。

图9是表示倾斜角度的控制方法的说明图。

图10是表示另一实施方式的连接部的结构的一例的纵剖视图。

图11A是表示连接部的结构的一例的纵剖视图。

图11B是表示连接部的结构的一例的纵剖视图。

图11C是表示连接部的结构的一例的纵剖视图。

图11D是表示连接部的结构的一例的纵剖视图。

图11E是表示连接部的结构的一例的纵剖视图。

图11F是表示连接部的结构的一例的纵剖视图。

图12A是表示连接部的结构的一例的俯视图。

图12B是表示连接部的结构的一例的俯视图。