[发明专利]一种阵列基板制备方法、阵列基板及显示面板在审
| 申请号： | 202110429860.7 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113140577A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;都桂卿;朱虹玲;郑浩旋 | 申请（专利权）人： | 滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 高星 |
| 地址： | 239000 安徽省滁*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：
在第一基板上设置第一金属层；
在第一金属层上设置半导体层；
在半导体层上设置第二金属层；
在第二金属层上设置第一保护层；
在第一保护层上设置色阻层；
对色阻层进行等离子体处理；
在色阻层上设置第二保护层。
2.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在上述步骤“对色阻层进行等离子体处理”中，所述等离子体处理具体为氧等离子体处理。
3.如权利要求2所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在上述步骤“对色阻层进行等离子体处理”中，所述氧等离子体处理的源功率为10Kw至14Kw，所述氧等离子体处理的处理时间为7s至30s。
4.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在上述步骤“在第二金属层上设置第一保护层”中，所述第一保护层采用沉积的方式设置于所述第二金属层上，所述第一保护层沉积于所述第二金属层的厚度为
5.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在上述步骤“在色阻层上设置第二保护层”中，所述第二保护层采用沉积的方式设置于所述色阻层上，所述第二保护层沉积于所述色阻层的厚度为至
6.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在上述步骤“在色阻层上设置第二保护层”中，所述第二保护层采用沉积的方式设置于所述色阻层上，所述第二保护层沉积的源功率为10Kw至14Kw。
7.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在上述步骤“在色阻层上设置第二保护层”中，所述第二保护层采用沉积的方式设置于所述色阻层上，所述第二保护层的成膜速度为
8.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在上述步骤“在色阻层上设置第二保护层”中，所述第二保护层采用沉积的方式设置于所述色阻层上，所述第二保护层沉积于所述色阻层的温度为200℃和220℃。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括第一基板、第一金属层、半导体层、第二金属层、第一保护层、色阻层和第二保护层；在所述第一基板上设置所述第一金属层；在所述第一金属层上设置所述半导体层；在所述半导体层上设置所述第二金属层；在所述第二金属层上设置所述第一保护层；在所述第一保护层上设置所述色阻层；对所述色阻层进行等离子体处理；在所述色阻层上设置所述第二保护层。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板应用权利要求1至8任一项所述的阵列基板制备方法生产加工。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司，未经滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110429860.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
