[发明专利]一种晶片清洗装置在审
申请号: | 202110430344.6 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113140488A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 李奕洋;张泽康;孙永强;冯淦;赵建辉 | 申请(专利权)人: | 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人: | 何家富 |
地址: | 361001 福建省厦门市火炬高*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 清洗 装置 | ||
1.一种晶片清洗装置,其特征在于,包括:清洗腔、定位板、给水管路、干燥气体管路及盛有酸液的酸缸;所述酸缸内设有用于产生亚沸状态酸的加热板,所述酸缸与所述清洗腔导通;所述定位板设置于所述清洗腔内,且所述定位板上开有用于定位晶片的定位槽;所述给水管路与所述清洗腔导通,所述干燥气体管路也与所述清洗腔导通,所述清洗腔上还设有排气孔及排液孔。
2.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,其特征在于,所述酸缸设置于所述清洗腔的底部,所述定位板设置于所述酸缸的上方,所述定位板上设有用于将亚沸状态酸导至晶片位置的通孔。
3.根据权利要求2所述的晶片清洗装置,其特征在于,还包括给酸瓶及给酸泵;所述给酸瓶通过所述给酸泵与所述酸缸导通,且为所述酸缸提供液态酸。
4.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,其特征在于,所述清洗腔开有酸蒸汽回收孔,所述酸蒸汽回收孔与一酸回收器导通。
5.根据权利要求4所述的晶片清洗装置,其特征在于,所述酸回收器包括蒸汽回收盘管、冷却液箱及酸液瓶;所述蒸汽回收盘管的一端与所述酸蒸汽回收孔导通,所述蒸汽回收盘管的另一端与酸液瓶导通;所述蒸汽回收盘管设置于所述冷却液箱内,所述冷却液箱内设有冷却液。
6.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,其特征在于,所述定位板上的晶片相对于水平面倾斜设置。
7.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,其特征在于,所述定位板通过一高度调节机构固定于所述清洗腔内,所述高度调节机构可调节所述定位板固定高度。
8.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,其特征在于,晶片及所述定位板的上方位置设有喷淋板,所述喷淋板上设有多个喷头孔,所述喷头孔分别与所述给水管路及所述干燥气体管路导通。
9.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,其特征在于,所述干燥气体管路设有减压阀,且所述干燥气体管路上还设有对管路内气体进行加热的加热带。
10.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,其特征在于,所述清洗腔的底部还与一U形管的进气口导通,所述U形管的底部开有排液孔,所述排液孔与一废液回收槽导通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造