[发明专利]用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

相对于特征的内部区域，通过以下操作优先蚀刻在衬底上的所述特征的开口处或附近的第一数量的金属：

(i)通过使所述特征暴露于含卤素的气体以形成所述第一数量的金属的改性的表面；

(ii)使所述改性的表面暴露于活化气体；

(iii)在(i)和(ii)中的至少一种期间使用偏置功率对所述衬底施加偏置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属包含钨或钼。

3.根据权利要求1所述的方法，其中当在(i)期间施加偏置时，所述偏置功率大于0V并且小于约200V。

4.根据权利要求1所述的方法，其中当在(ii)期间施加偏置时，所述偏置功率小于阈值偏置功率。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一数量的金属的所述改性表面的形成是自限反应。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述第一数量的金属沉积到所述衬底上的所述特征内，其中所述沉积和所述优先蚀刻在不破坏真空的情况下进行。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述沉积和所述优先蚀刻在相同工具的不同室中进行。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在(i)和(ii)的至少一个期间点燃等离子体。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在优先蚀刻所述第一数量的金属以后在所述特征内沉积第二数量的金属。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述金属是使用一种或多种钨前体或其组合沉积的钨。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述金属选自无氟钨、钛、钽、镍和钴所组成的组。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含卤素的气体选自氯，溴、碘及其组合所组成的组。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述活化气体选自氦、氖、氪和氩所组成的组。

14.一种方法，其包括：

相对于特征的内部区域，通过以下操作优先蚀刻在衬底上的所述特征的开口处或附近的第一数量的金属：(i)通过使所述特征暴露于含卤素的气体以形成所述第一数量的金属的改性的表面；以及

(ii)在大约1mTorr和大约15mTorr之间的室压力下将所述改性的表面暴露于活化气体。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述金属包含钨或钼。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一数量的金属的所述改性表面的形成是自限反应。

17.根据权利要求14所述的方法，还包括将所述第一数量的金属沉积到所述衬底上的所述特征内，其中所述沉积和所述优先蚀刻在不破坏真空的情况下进行。

18.根据权利要求14所述的方法，还包括在(i)和(ii)的至少一个期间点燃等离子体。

19.根据权利要求14所述的方法，还包括在优先蚀刻所述第一数量的金属以后在所述特征内沉积第二数量的金属。