[发明专利]光致抗蚀剂层脱气防止在审
| 申请号： | 202110434939.9 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113359392A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈彥儒;刘之诚;郭怡辰;李志鸿;李资良;翁明晖;郑雅如 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂层 脱气 防止 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在基板上方形成光致抗蚀剂层；
在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜；
使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分；以及
使所述光致抗蚀剂层显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括去除所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分上方的所述脱水膜的第二部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成脱水膜包括在80℃至150℃范围内的温度下加热所述光致抗蚀剂层的表面。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成脱水膜包括将氧化剂施加至所述光致抗蚀剂层的表面。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成脱水膜包括将有机溶剂蒸气施加至所述光致抗蚀剂层的表面。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成脱水膜包括使所述光致抗蚀剂层的表面暴露于紫外线辐射。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成脱水膜包括以下项中的至少两个：在80℃至150℃范围内的温度下加热所述光致抗蚀剂层的表面，将氧化剂施加至所述光致抗蚀剂层的表面，将有机溶剂蒸气施加至所述光致抗蚀剂层的表面，以及使所述光致抗蚀剂层的表面暴露于紫外线辐射。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成光致抗蚀剂层之前在所述基板上方形成要图案化的层，其中所述要图案化的层由与所述基板不同的材料形成。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述脱水膜的厚度与所形成的所述光致抗蚀剂层的原始厚度之比为1/100至1/10。
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