[发明专利]光致抗蚀剂层脱气防止在审

专利信息
申请号: 202110434939.9 申请日: 2021-04-22
公开(公告)号: CN113359392A 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 陈彥儒;刘之诚;郭怡辰;李志鸿;李资良;翁明晖;郑雅如 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/11 分类号: G03F7/11
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 赵艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 光致抗蚀剂层 脱气 防止
【权利要求书】:

1.一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括:

在基板上方形成光致抗蚀剂层;

在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜;

使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射,以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分;以及

使所述光致抗蚀剂层显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括去除所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分上方的所述脱水膜的第二部分。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述形成脱水膜包括在80℃至150℃范围内的温度下加热所述光致抗蚀剂层的表面。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述形成脱水膜包括将氧化剂施加至所述光致抗蚀剂层的表面。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述形成脱水膜包括将有机溶剂蒸气施加至所述光致抗蚀剂层的表面。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述形成脱水膜包括使所述光致抗蚀剂层的表面暴露于紫外线辐射。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述形成脱水膜包括以下项中的至少两个:在80℃至150℃范围内的温度下加热所述光致抗蚀剂层的表面,将氧化剂施加至所述光致抗蚀剂层的表面,将有机溶剂蒸气施加至所述光致抗蚀剂层的表面,以及使所述光致抗蚀剂层的表面暴露于紫外线辐射。

9.根据权利要求1所述的方法,还包括在形成光致抗蚀剂层之前在所述基板上方形成要图案化的层,其中所述要图案化的层由与所述基板不同的材料形成。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述脱水膜的厚度与所形成的所述光致抗蚀剂层的原始厚度之比为1/100至1/10。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110434939.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top