[发明专利]光致抗蚀剂层脱气防止

说明书

本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。

相关申请

本申请要求2020年6月18日提交的美国临时专利申请号63/041,058的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

背景技术

随着消费者设备响应于消费者需求而已变得越来越小，这些设备的各个部件也已必定在大小上减小。组成诸如移动电话、计算机平板等的设备的主要部件的半导体器件已被迫变得越来越小，同时对应地迫使半导体器件内的各个器件(例如，晶体管、电阻器、电容器等)也在大小上减小。

在半导体器件的制造过程中使用的一种使能技术是使用光刻材料。将此类材料施加至要图案化的层的表面，然后暴露于本身已被图案化的能量。此类暴露改变了光敏材料的暴露区域的化学和物理特性。可以利用这种改变以及在未暴露的光敏材料区域中缺乏改变，来去除一个区域而不去除另一个区域。

然而，随着各个器件的大小减小，用于光刻处理的工艺窗口变得越来越收紧。如此，光刻处理领域中的进步对于维持按比例缩小器件的能力是必需的，并且为了满足期望的设计标准，以便可以维持朝向越来越小的部件前进，还需要进一步的改进。

发明内容

根据本发明的一个实施方式涉及一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜；使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分；以及使所述光致抗蚀剂层显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。

根据本发明的另一个实施方式涉及一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层，包括：以蒸汽状态将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及将所述光致抗蚀剂材料沉积在所述基板上方，其中所述光致抗蚀剂层具有面对所述基板的第一表面和相反的第二表面；处理所述光致抗蚀剂层的所述第二表面以形成覆盖所述光致抗蚀剂层的脱水膜；使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以在所述光致抗蚀剂层中形成潜在图案；通过将显影剂施加至经选择性暴露的光致抗蚀剂层使潜在图案显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案，其中在所述使潜在图案显影之后所述脱水膜的一部分保留在所述光致抗蚀剂层上方。

根据本申请的另一个实施方式涉及一种用于防止含金属的光致抗蚀剂的脱气的方法，所述方法包括：在基板上方形成含金属的光致抗蚀剂层，其中所述含金属的光致抗蚀剂层具有面对所述基板的第一主表面和相反的第二主表面；处理所述光致抗蚀剂层的所述第二主表面，以在所述光致抗蚀剂层上方形成阻挡膜，以防止从所述光致抗蚀剂层脱气，其中所述处理所述光致抗蚀剂层的所述第二主表面包括以下项中的一个或多个：在80℃至150℃范围内的温度下加热所述光致抗蚀剂层的所述第二主表面，将臭氧施加至所述光致抗蚀剂层的所述第二主表面，将有机溶剂蒸气施加至所述光致抗蚀剂层的所述第二主表面，以及使所述光致抗蚀剂层的所述第二主表面暴露于紫外线辐射；使所述光致抗蚀剂层图案化暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分；以及去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述阻挡膜的第一部分。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述将最好地理解本公开。要强调的是，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制并且仅用于说明目的。实际上，为了讨论清楚起见，各种特征的尺寸可以任意增大或减小。

图1图示了根据本公开的实施方式的制造半导体器件的工艺流程。