[发明专利]一种半导体SGT器件有效
| 申请号： | 202110435445.2 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113140526B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 黄永平 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯控源电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32;H01L23/48;H01L23/58 |
| 代理公司： | 深圳力拓知识产权代理有限公司 44313 | 代理人： | 龚健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 sgt 器件 | ||
1.一种半导体SGT器件，包括衬底层(1)，所述衬底层(1)的前后两侧竖直设置有侧护层(2)，其特征在于：所述衬底层(1)的左右两侧竖直设置有端护层(4)，所述侧护层(2)的表面开设有插槽(3)，所述端护层(4)通过插槽(3)卡合安装在侧护层(2)上，所述端护层(4)的两端之间连接有限位卡合条(5)，所述限位卡合条(5)的内表面抵触在侧护层(2)的外表面，所述衬底层(1)的上端设置有左隔断层(8)、中间隔断层(9)、右隔断层(10)，所述中间隔断层(9)设置在左隔断层(8)的右侧与右隔断层(10)的左侧位置之间，所述左隔断层(8)的右端与中间隔断层(9)的左端位置之间设置有第一栅级材料层(11)，所述中间隔断层(9)的右端与右隔断层(10)的左端位置之间设置有第二栅级材料层(12)，所述第一栅级材料层(11)和第二栅级材料层(12)的上端连接有入电电极(14)、出电电极(15)、导电电极(13)，所述导电电极(13)的两端分别与入电电极(14)的右端和出电电极(15)的左端连接。
2.根据权利要求1所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述侧护层(2)的表面设置有外卡块(6)和内卡块(7)，所述外卡块(6)的内端与内卡块(7)的外端间距与限位卡合条(5)的宽度相等。
3.根据权利要求1所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述第一栅级材料层(11)的内部竖直设置有第一导电介质层(16)、第二导电介质层(17)、第三导电介质层(18)，所述第二栅级材料层(12)的内部竖直设置有第四导电介质层(19)、第五导电介质层(20)、第六导电介质层(21)。
4.根据权利要求3所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述第一导电介质层(16)和第四导电介质层(19)的上端与入电电极(14)的下端连接，所述第二导电介质层(17)和第五导电介质层(20)的上端与导电电极(13)的下端连接，所述第三导电介质层(18)和第六导电介质层(21)的上端与出电电极(15)的下端连接。
5.根据权利要求3所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述第一导电介质层(16)、第二导电介质层(17)、第三导电介质层(18)、第四导电介质层(19)、第五导电介质层(20)、第六导电介质层(21)的下端与第一栅级材料层(11)和第二栅级材料层(12)的上端位置处设置有缓冲层(22)。
6.根据权利要求1所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述限位卡合条(5)的数量是六个。
7.根据权利要求1所述的一种半导体SGT器件，其特征在于：所述插槽(3)与端护层(4)的宽度相等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市芯控源电子科技有限公司，未经深圳市芯控源电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110435445.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
