[发明专利]一种半导体SGT器件

说明书

本发明涉及半导体领域，提供一种半导体SGT器件，包括衬底层，衬底层的前后两侧竖直设置有侧护层，左隔断层的右端与中间隔断层的左端位置之间设置有第一栅级材料层，中间隔断层的右端与右隔断层的左端位置之间设置有第二栅级材料层，第一栅级材料层和第二栅级材料层的上端连接有入电电极、出电电极、导电电极，导电电极的两端分别与入电电极的右端和出电电极的左端连接。本发明设计新颖，结构简单，使用方便，限位卡合条可以卡在内卡块与外卡块之间，此时限位卡合条被束缚住，将限位卡合条从内向外的拉取出来的时候，就可以将整个端护层从侧护层上取出，导电电极起到了连通的效果，延长了由入电电极和出电电极之间的距离，使得导电路径变长。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种半导体SGT器件。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。

半导体SGT器件在进行导电的时候，相比起传统的半导体介质有更为广泛的使用环境，但是，目前的SGT器件在进行导电的时候，由于体积有限，在进行电路传导的时候，通路较短，同时，电荷的平衡的效果较为差，需要通过结构进行调节。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体SGT器件，解决了当前的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种半导体SGT器件，包括衬底层，所述衬底层的前后两侧竖直设置有侧护层，所述衬底层的左右两侧竖直设置有端护层，所述侧护层的表面开设有插槽，所述端护层通过插槽卡合安装在侧护层上，所述端护层的两端之间连接有限位卡合条，所述限位卡合条的内表面抵触在侧护层的外表面，所述衬底层的上端设置有左隔断层、中间隔断层、右隔断层，所述中间隔断层设置在左隔断层的右侧与右隔断层的左侧位置之间，所述左隔断层的右端与中间隔断层的左端位置之间设置有第一栅级材料层，所述中间隔断层的右端与右隔断层的左端位置之间设置有第二栅级材料层，所述第一栅级材料层和第二栅级材料层的上端连接有入电电极、出电电极、导电电极，所述导电电极的两端分别与入电电极的右端和出电电极的左端连接，侧护层和端护层起到了较好的围护效果，对内部结构进行保护。

优选的，所述侧护层的表面设置有外卡块和内卡块，所述外卡块的内端与内卡块的外端间距与限位卡合条的宽度相等，内卡块和外卡块将限位卡合条进行限位。

优选的，所述第一栅级材料层的内部竖直设置有第一导电介质层、第二导电介质层、第三导电介质层，所述第二栅级材料层的内部竖直设置有第四导电介质层、第五导电介质层、第六导电介质层，第一导电介质层、第二导电介质层、第三导电介质层，第四导电介质层、第五导电介质层、第六导电介质层都起到了传导电荷的效果。

优选的，所述第一导电介质层和第四导电介质层的上端与入电电极的下端连接，所述第二导电介质层和第五导电介质层的上端与导电电极的下端连接，所述第三导电介质层和第六导电介质层的上端与出电电极的下端连接，入电电极传入电荷，出电电极可以导出。

优选的，所述第一导电介质层、第二导电介质层、第三导电介质层、第四导电介质层、第五导电介质层、第六导电介质层的下端与第一栅级材料层和第二栅级材料层的上端位置处设置有缓冲层，缓冲层起到了平衡电荷作用。

优选的，所述限位卡合条的数量是六个，多个限位卡合条同时卡合。

优选的，所述插槽与端护层的宽度相等，使得卡合效果好。

(三)有益效果