[发明专利]倒装芯片封装单元及封装方法在审
| 申请号： | 202110435879.2 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113327899A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 蒲应江;蒋航;郭秀宏 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/373;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒装 芯片 封装 单元 方法 | ||
1.一种倒装芯片封装单元，包括：
集成电路晶片，具有晶片第一表面和与该晶片第一表面相对的晶片第二表面，该晶片第一表面上制作有多个金属柱；
绕线基板，其具有基板第一表面和与该基板第一表面相对的基板第二表面，所述集成电路晶片的晶片第一表面朝向该基板第二表面焊接于该绕线基板上；
底部填充材料，填充该集成电路晶片的晶片第一表面与所述基板第二表面之间的间隙；以及
导热保护层，至少包裹覆盖并直接接触该集成电路晶片的晶片第二表面及晶片侧面的一部分。
2.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述底部填充材料填充该集成电路晶片的晶片第一表面上的多个金属柱之间的空隙。
3.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述底部填充材料进一步纵向爬升至包裹该集成电路晶片的晶片侧面的一部分。
4.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述底部填充材料自该集成电路晶片的双边晶片侧面双侧地向外呈梯形状突出，该底部填充材料的侧壁与该集成电路晶片的晶片侧面相交形成一角度。
5.如权利要求4所述的倒装芯片封装单元，其中所述角度大于0度且小于90度。
6.如权利要求4所述的倒装芯片封装单元，其中所述角度大于0度且小于45度。
7.如权利要求4所述的倒装芯片封装单元，其中所述角度大于0度且小于等于30度。
8.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中该导热保护层包括导热率高于100W/m.K的材料薄膜。
9.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中该导热保护层包括导热率高于1W/m.K的材料薄膜。
10.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中所述导热保护层覆盖并直接接触该倒装芯片封装单元的整个背面侧的表面，该倒装芯片封装单元的背面侧指所述基板第二表面以及所述晶片第二表面所朝向的那一侧。
11.如权利要求10所述的倒装芯片封装单元，其中该导热保护层通过在该倒装芯片封装单元的整个背面侧的表面溅射导热率高于100W/m.K的材料而形成。
12.如权利要求10所述的所述的倒装芯片封装单元，其中该导热保护层通过在该倒装芯片封装单元的整个背面侧的表面先溅射导电材料而后再电镀金属材料而形成。
13.如权利要求12所述的倒装芯片封装单元，其中，该导热保护层包括导电种子层和覆盖该导电种子层的金属层。
14.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中，所述导热保护层的厚度在0.3μm～10μm的范围。
15.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中，所述导热保护层的厚度在0.3μm～5μm的范围。
16.如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中，所述导热保护层的厚度在0.3μm～1μm的范围。
17.如权利要求如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中，所述导热保护层的厚度在0.5μm～5μm的范围。
18.如权利要求如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中，所述导热保护层的厚度在2μm～5μm的范围。
19.如权利要求如权利要求1所述的倒装芯片封装单元，其中，所述导热保护层的厚度在2μm～3μm的范围。
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