[发明专利]倒装芯片封装单元及封装方法

说明书

提出了一种倒装芯片封装单元及制作倒装芯片封装单元的封装方法。该倒装芯片封装单元可以包括：集成电路晶片，具有晶片第一表面和与该晶片第一表面相对的晶片第二表面，该晶片第一表面上制作有多个金属柱；绕线基板，其具有基板第一表面和与该基板第一表面相对的基板第二表面，所述集成电路晶片的晶片第一表面朝向该基板第二表面焊接于该绕线基板上；底部填充材料，填充该集成电路晶片的晶片第一表面与所述基板第二表面之间的间隙；以及导热保护层，至少包裹覆盖并直接接触该集成电路晶片的晶片第二表面及晶片侧面的一部分，有助于提升集成电路晶片的散热性能，同时该导热保护层可以对集成电路晶片起到较好的保护作用。

技术领域

本公开的实施例涉及集成电路，特别地，涉及用于倒装芯片的封装结构及封装方法。

背景技术

将制作有集成电路的晶片进行倒装封装是集成电路封装方式的一种。对于需要处理较大功率的集成电路晶片，散热性能是需要重点考虑的一个设计指标。目前将集成电路晶片进行倒装封装时，采用将晶片用塑封材料包裹后再将晶片背面的塑封材料去除以将晶片背面裸露的方式以改善散热效果，然而晶片背面裸露则在储存或运输过程中受损的风险增加。

发明内容

本公开一方面提出了一种倒装芯片封装单元，可以包括：集成电路晶片，具有晶片第一表面和与该晶片第一表面相对的晶片第二表面，该晶片第一表面上制作有多个金属柱；绕线基板，其具有基板第一表面和与该基板第一表面相对的基板第二表面，所述集成电路晶片的晶片第一表面朝向该基板第二表面焊接于该绕线基板上；底部填充材料，填充该集成电路晶片的晶片第一表面与所述基板第二表面之间的间隙；以及导热保护层，至少包裹覆盖并直接接触该集成电路晶片的晶片第二表面及晶片侧面的一部分。

本公开的另一方面提出了一种制作倒装芯片封装单元的晶圆级封装方法，可以包括：步骤S1，提供制作有多个集成电路单元的晶圆，该晶圆的第一表面上针对每个集成电路单元制作有多个金属柱；步骤S2,将对该晶圆进行切割，将各集成电路单元相互分离，形成多个相互分立的集成电路晶片，每个集成电路晶片的晶片第一表面上具有多个金属柱，每个集成电路单元还具有与其晶片第一表面相对的晶片第二表面；步骤S3，提供绕线基板，其具有基板第一表面和与该基板第一表面相对的第二表面,将每个集成电路晶片的晶片第一表面朝向所述基板第二表面焊接于该绕线基板上，相邻的两个集成电路晶片之间间隔第一横向距离；步骤S4，在每个集成电路晶片的晶片第一表面与所述基板第二表面之间的间隙注入底部填充材料形成每个集成电路晶片的底部填充材料；以及步骤S5，在每个集成电路晶片的晶片第二表面和晶片侧面上制作导热保护层，使该导热保护层至少包裹覆盖并直接接触每个集成电路晶片的晶片第二表面及其晶片侧面的一部分。

本公开各实施例的倒装芯片封装单元采用导热保护层不仅制作工艺简单易实现、成本可控，而且可以提升集成电路晶片的散热性能，同时该导热保护层可以对集成电路晶片起到较好的保护作用。

附图说明

下面的附图有助于更好地理解接下来对本公开实施例的描述。为简明起见，不同附图中相同或类似的组件或结构采用相同的附图标记。

图1示意出了根据本公开一实施例的倒装芯片封装单元100的局部纵向(Z轴方向)剖面图。

图2A至2F示意出了根据本公开一实施例的制作倒装芯片封装单元的晶圆级封装方法中部分阶段的剖面流程示意图。

具体实施方式

在下面对本公开的详细描述中，为了更好地理解本公开的实施例，描述了大量的电路、元件、方法等的具体细节。本领域技术人员将理解，即使缺少一些细节，本公开同样可以实施。为清晰明了地阐述本公开，一些为本领域技术人员所熟知的细节在此不再赘述。