[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202110436172.3 | 申请日: | 2021-04-22 |
公开(公告)号: | CN113192984A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 刘超凡;刘军正;谢克成 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括位于显示区的晶体管,所述晶体管包括主晶体管、辅晶体管和分压晶体管中的至少其中之一,所述晶体管包括位于半导体层上的沟道以及位于电极层上的源极和漏极;
所述漏极包括漏极尖端区,所述漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述沟道之外。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述源极包括源极尖端区,所述源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述沟道之外。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述晶体管包括所述主晶体管,所述主晶体管包括位于所述半导体层上的第一沟道以及位于所述电极层上的第一源极和第一漏极;
所述第一漏极包括第一漏极尖端区,所述第一漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第一沟道之外;
所述第一源极包括第一源极尖端区,所述第一源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第一沟道之外。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一沟道包括第一开口,所述第一漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第一开口内。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一沟道包括第二开口,所述第一源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第二开口内。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述晶体管包括所述主晶体管和所述辅晶体管,所述辅晶体管包括位于所述半导体层上的第二沟道以及位于所述电极层上的第二源极和第二漏极;
所述第二漏极包括第二漏极尖端区,所述第二漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第二沟道之外;
所述第二源极包括第二源极尖端区,所述第二源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第二沟道之外。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二沟道包括第三开口,所述第二漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第三开口内。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二沟道包括第四开口,所述第二源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第四开口内。
9.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述晶体管包括所述主晶体管、所述辅晶体管和所述分压晶体管,所述分压晶体管包括位于所述半导体层上的第三沟道以及位于所述电极层上的第三源极和第三漏极;
所述第三漏极包括第三漏极尖端区,所述第三漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第三沟道之外;
所述第三源极包括第三源极尖端区,所述第三源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第三沟道之外。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第三沟道包括第五开口,所述第三漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第五开口内。
11.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第三沟道包括第六开口,所述第三源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第六开口内。
12.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括主像素电极和辅像素电极,所述主晶体管与所述主像素电极电性连接,所述辅晶体管和所述分压晶体管均与所述辅像素电极电性连接。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至12中任一所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的