[发明专利]显示面板及显示装置在审

专利信息
申请号: 202110436172.3 申请日: 2021-04-22
公开(公告)号: CN113192984A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 刘超凡;刘军正;谢克成 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 显示装置
【说明书】:

本申请提供一种显示面板及显示装置,该显示面板包括位于显示区的晶体管,该晶体管为主晶体管、辅晶体管和分压晶体管中的至少其中之一,该晶体管包括位于半导体层上的沟道以及位于电极层上的源极和漏极;漏极包括漏极尖端区,漏极尖端区在半导体层上的正投影位于沟道之外。本申请将晶体管的漏极尖端区与该晶体管的沟道错开设置,使二者无重叠,消除了晶体管的沟道被该晶体管的漏极尖端区聚集的电荷击穿的风险,提升了薄膜晶体管的可靠性,解决了显示面板群亮点的问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示面板出现的群亮点问题已经严重影响了面板的显示品质和用户的使用体验。对产生暗点和亮点的位置进行观察发现,亮点和暗点位置的像素对应的薄膜晶体管出现了不同程度的半导体层被击穿的现象,且击穿位置均对应薄膜晶体管的漏极尖端区域。结合薄膜晶体管的工作原理可知,薄膜晶体管在导通状态下,源极的载流子会通过半导体层向漏极聚集,而漏极的尖端区域无法及时将载流子转移,导致电荷在漏极尖端区域大量聚集,继而引发漏极尖端放电,半导体层被放电电流击穿,使得薄膜晶体管丧失开关功能。其中,与数据线连接的薄膜晶体管被击穿会导致像素持续发光,形成亮点;与具有拉低电压功能的共享走线连接的薄膜晶体管被击穿会导致像素持续发暗,形成暗点。

因此,目前显示面板存在因薄膜晶体管的漏极尖端放电击穿半导体层而使显示面板产生群亮点的技术问题。

发明内容

本申请提供一种显示面板及显示装置,用于解决目前显示面板出现群亮点的技术问题。

本申请提供一种显示面板,其包括位于显示区的晶体管,所述晶体管包括主晶体管、辅晶体管和分压晶体管中的至少其中之一,所述晶体管包括位于半导体层上的沟道以及位于电极层上的源极和漏极;

所述漏极包括漏极尖端区,所述漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述沟道之外。

在本申请的显示面板中,所述源极包括源极尖端区,所述源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述沟道之外。

在本申请的显示面板中,所述晶体管包括所述主晶体管,所述主晶体管包括位于所述半导体层上的第一沟道以及位于所述电极层上的第一源极和第一漏极;

所述第一漏极包括第一漏极尖端区,所述第一漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第一沟道之外;

所述第一源极包括第一源极尖端区,所述第一源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第一沟道之外。

在本申请的显示面板中,所述第一沟道包括第一开口,所述第一漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第一开口内。

在本申请的显示面板中,所述第一沟道包括第二开口,所述第一源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第二开口内。

在本申请的显示面板中,所述晶体管包括所述主晶体管和所述辅晶体管,所述辅晶体管包括位于所述半导体层上的第二沟道以及位于所述电极层上的第二源极和第二漏极;

所述第二漏极包括第二漏极尖端区,所述第二漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第二沟道之外;

所述第二源极包括第二源极尖端区,所述第二源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第二沟道之外。

在本申请的显示面板中,所述第二沟道包括第三开口,所述第二漏极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第三开口内。

在本申请的显示面板中,所述第二沟道包括第四开口,所述第二源极尖端区在所述半导体层上的正投影位于所述第四开口内。

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