[发明专利]一种粘附性好的晶圆切割用保护膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种粘附性好的晶圆切割用保护膜，从上到下依次包括基材层，粘合层，剥离层，粘合层制备原料包括：改性聚丙烯酸树脂，增塑剂，耐高温助剂，引发剂。本发明所述的晶圆切割用保护膜在晶圆的切割步骤中能够显示优良的保持力，能够有效地抑制或防止晶圆表面的破坏，碎裂和弯曲，并且通过我们实验的改性，对实验条件的优化，增大了保护膜的拉伸粘结强度，提高了固化速度，缩短了固化时间。

技术领域

本发明涉及的是一种粘附性好的晶圆切割用保护膜及其制备方法，主要应用于电子元器件制备领域。

背景技术

晶圆切割工艺是半导体芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序，属于晶柱切片后处理工序，要将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片。由于大部分的半导体芯片为硅的芯片，硅为脆性材料，边角碎裂会影响芯片的强度，切割工序中容易破坏表面的光洁度，这些会对后续工序带来污染，为了避免上述问题的发生，需要在晶圆切割工序设置一层保护膜，起到一定的保护作用，避免后续的麻烦。

目前现有的晶圆切割用保护膜粘度不高，在经过高温处理后，保护膜会出现变形的问题，韧性，附着力都会出现一定程度的下降，使得对切割芯片不能起到良好的保护作用。本发明的保护膜在生产使用过程中展现了良好的保持力，能够有效防止晶圆表面的破坏。

发明内容

为了解决晶圆切割用保护膜在经过高温处理后，易变形，韧性和附着力都下降的情况，本发明的第一个方面提供了一种粘附性好的晶圆切割用保护膜，其从上到下依次包括基材层，粘合层，剥离层。

作为一种优选的实施方式，所述的基材层为PVC基材。

作为一种优选的实施方式，所述的粘合层制备原料包括：树脂，增塑剂，耐高温助剂，引发剂。

作为一种优选的实施方式，所述的树脂为聚丙烯酸树脂和/或改性聚丙烯酸树脂。

进一步优选，所述的树脂为改性聚丙烯酸树脂。

作为一种优选的实施方式，所述的改性聚丙烯酸树脂选自硅烷改性聚丙烯酸树脂、无机粉末改性聚丙烯酸树脂、有机氟改性聚丙烯酸树脂、环氧改性聚丙烯酸树脂中的一种。

作为一种优选的实施方式，所述的改性聚丙烯酸树脂的改性剂选自偶联剂、表面活性剂中的一种。

作为一种优选的实施方式，所述的耐高温助剂为有机耐高温助剂和/或无机耐高温助剂。

作为一种优选的实施方式，所述的增塑剂和耐高温助剂的重量百分比为3：(4-4.7)。

本发明的第二个方面提供了一种粘附性好的晶圆切割用保护膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)将树脂，增塑剂，耐高温助剂加入到反应器中，升温至80-90℃，搅拌混合0.5-1.5h；

(2)加入引发剂，搅拌混合，即得粘合层初产物；

(3)将基材层置于最底层，涂布粘合层初产物，涂布温度为60-100℃，送入烘箱中烘烤5-10min，再覆盖上剥离层，熟化，出卷。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

(1)本发明所述的晶圆切割用保护膜具有优异的耐热性，韧性和附着力，在经过高温环境后依旧保持较好的产品性能。

(2)本发明所述的晶圆切割用保护膜用于晶圆的切割步骤中能够显示优良的保持力，能够有效地抑制或防止晶圆表面的破坏，碎裂和弯曲。

(3)本发明所述的晶圆切割用保护膜加工后易于拾取，并且制备工艺简单，产品洁净度高，具有更高的生产效率。

(4)本发明所述的晶圆切割用保护膜的粘合层具有较高的拉伸粘结强度，较小的固化收缩率。