[发明专利]半导体结构与其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基底，具有一第一表面以及一第二表面，该第二表面相对该第一表面设置；

一第一介电层，设置在该基底的该第一表面上；

一第二介电层，设置在该基底的该第二表面上；

一导电通孔，延伸经过该基底，且部分经过该第一介电层与该第二介电层；

一第三介电层，设置在该第二介电层内，并围绕该导电通孔的一部分；以及

一凸块垫，设置在该第三介电层与该导电通孔上；

其中该第三介电层的一介电常数大致不同于该第二介电层的一介电常数。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第三介电层的该介电常数大致小于该第二介电层的该介电常数。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第三介电层的该介电常数大致小于或等于2.5。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第二介电层的该介电常数大致大于3。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第三介电层的一硬度大致小于该第二介电层的一硬度。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第三介电层为有机，且该第二介电层为非有机。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第三介电层包含聚酰亚胺、聚四氟乙烯、苯并环丁烯、聚对二恶唑苯或聚合物。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第二介电层包含氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中，一界面设置在该第二介电层与该第三介电层之间。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第二介电层的一厚度大致大于该第三介电层的一厚度。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该凸块垫具有一金属衬垫、一阻障层以及一导电组件，该金属衬垫与该第三介电层共形设置，该阻障层与该金属衬垫共形设置并在该导电通孔上，该导电组件设置在该阻障层与该金属衬垫上，并被该阻障层与该金属衬垫所围绕。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该凸块垫被该第二介电层与该第三介电层所围绕。

13.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

一导电垫，被该第一介电层所围绕，且电性耦接到该导电通孔；以及

一导电凸块，设置在该凸块垫上，且经由该凸块垫而电性连接到该导电通孔。

14.一种半导体结构的制备方法，包括：

提供一载体；

设置一中间结构在该载体上，其中该中间结构具有一第一介电层、一基底以及一导电通孔，该基底位在该第一介电层上，该导电通孔部分延伸经过该基底与该第一介电层；

移除该基底的一第一部分，以部分暴露该导电通孔；

形成一第二介电层在该基底上，以及在该导电通孔经由该基底而暴露的一部分上；

移除该第二介电层的一第二部分，以部分暴露该导电通孔；

形成一第三介电层，该第三介电层是与该第二介电层以及该导电通孔经由该第二介电层而暴露的一部分共形；以及

形成一凸块垫，该凸块垫是被该第三介电层所围绕。

15.如权利要求14所述的半导体结构的制备方法，其中，该第三介电层通过旋转涂布而设置。

16.如权利要求14所述的半导体结构的制备方法，其中，在该第二介电层的该第二部分移除之后，该导电通孔的至少一部分是从该第二介电层突伸。