[发明专利]氮气清洗装置有效
申请号: | 202110439049.7 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN113053791B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 刘军辉;谭红青;谭小江;刘家康 | 申请(专利权)人: | 上海珩旭机电设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B7/00;F26B21/14 |
代理公司: | 上海十蕙一兰知识产权代理有限公司 31331 | 代理人: | 刘秋兰 |
地址: | 201713 上海市青浦区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮气 清洗 装置 | ||
1.一种氮气清洗装置,包括机架、固定于机架上用于清洗晶圆的清洗槽主体,其特征在于,所述清洗槽主体顶面敞开且设有进水口和排液口;
还包括氮气干燥喷洒装置,所述氮气干燥喷洒装置固定于机架上,所述氮气干燥喷洒装置可移动至所述清洗槽主体顶面,用于喷出气体干燥所述清洗槽主体内的晶圆;
所述晶圆置于所述清洗槽主体内,通过所述进水口进液为所述晶圆进行清洗,通过所述排液口对清洗后的液体进行排出,在所述晶圆清洗完成后,通过移动所述氮气干燥喷洒装置至所述清洗槽主体顶面上密封所述清洗槽主体,并向所述清洗槽主体喷出气体,对所述晶圆进行干燥,干燥完成后,所述氮气干燥喷洒装置回位;
还包括晶圆移动机构,所述晶圆移动机构包括用于放置晶圆的花篮机构,所述花篮机构的一侧设有移动支撑架;
所述晶圆移动机构还包括用于左右移动的左右移动机构,所述左右移动机构的移动端连接所述移动支撑架的侧边,所述左右移动机构带动所述移动支撑架做左右移动;
所述花篮机构设置于所述清洗槽主体内,所述晶圆设置于所述花篮机构上,所述左右移动机构设置在所述清洗槽主体外,在清洗所述晶圆过程中,通过所述左右移动机构移动所述花篮机构,带动所述晶圆边移动边清洗;在干燥所述晶圆过程中,通过所述左右移动机构移动所述花篮机构,带动所述晶圆边移动边干燥。
2.如权利要求1所述的氮气清洗装置,其特征在于,所述清洗槽主体上部设有内外联通的上部排风口,所述清洗槽主体的下部设有所述进水口,所述清洗槽主体底面设有所述排液口;
所述清洗槽主体外还设有与所述清洗槽主体内部联通的透视管,所述透视管竖向设置,所述透视管的底部联通所述清洗槽主体下部。
3.如权利要求1所述的氮气清洗装置,其特征在于,所述清洗槽主体下方设有废液回收槽,所述废液回收槽固定于机架上,所述排液口通过排液管联通所述废液回收槽内部,所述排液管上设有排液阀,所述废液回收槽上设有废液排水口,所述废液排水口通过废液排水管与外部排水管路联通。
4.如权利要求3所述的氮气清洗装置,其特征在于,所述废液回收槽采用密封槽,所述废液回收槽侧壁上部设有回收槽排风口;
所述清洗槽主体的下部设有至少一个内外联通的下部排水口,所述下部排水口通过下部排水管联通所述废液回收槽内部;
所述下部排水管上设有下部排水阀;
所述清洗槽主体的上部设有至少一个内外联通的上部排水口,所述上部排水口通过上部排水管联通所述废液回收槽内部;
所述上部排水管上设有上部排水阀;
所述清洗槽主体上设有用于固定所述清洗槽主体的处理槽支架;
所述清洗槽主体包括上部槽体和与所述上部槽体底部联通的下部槽体,所述上部槽体和所述下部槽体均采用长方体结构,所述上部槽体的宽度等于所述下部槽体,所述上部槽体的长度和高度均大于所述下部槽体;
在所述上部槽体的两侧分别设有连接架,所述处理槽支架为四个,四个所述处理槽支架分别设置在两个所述连接架的两侧下方;
所述清洗槽主体上还预留有预留排液口和预留排风口,所述预留排液口位于所述预留排风口侧边,所述预留排液口和所述预留排风口设置在所述清洗槽主体的上部。
5.如权利要求1所述的氮气清洗装置,其特征在于,所述氮气干燥喷洒装置包括安装板,所述安装板上设有干燥喷洒口,所述干燥喷洒口上盖有装置盖子,所述装置盖子上设有氮气进气口,外部氮气源通过氮气管联通所述氮气进气口;
所述安装板左侧或右侧侧边设有用于水平前后移动的前后移动机构,所述安装板与所述前后移动机构的移动端固定,所述前后移动机构带动所述安装板水平前后移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造