[发明专利]氮气清洗装置

说明书

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种氮气清洗装置。氮气清洗装置，包括机架、清洗槽主体和氮气干燥喷洒装置，清洗槽主体顶面敞开且设有进水口和排液口；氮气干燥喷洒装置可移动至清洗槽主体顶面，用于喷出气体干燥清洗槽主体内的晶圆；晶圆置于清洗槽主体内，通过进水口进液为晶圆进行清洗，通过排液口对清洗后的液体进行排出，在晶圆清洗完成后，通过移动氮气干燥喷洒装置至清洗槽主体顶面上密封清洗槽主体，并向清洗槽主体喷出气体，对晶圆进行干燥，干燥完成后，氮气干燥喷洒装置回位。本发明在对晶圆进行干燥过程中，能对晶圆进行直接且相对密封式干燥，还可以根据需求增加干燥剂混合干燥，大大提高了干燥效果和干燥效率。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种氮气清洗装置。

背景技术

圆晶(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为圆晶或硅片。圆晶是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了圆晶。

晶圆加工中一般包括如下步骤，先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

晶圆清洗对洁净度的要求很高，需要对晶圆进行多次的清洗，在清洗时需要在清洗液内通入气体，以混合液体对晶圆进行清洗操作，在干燥时需要在清洗槽内通入气体，以干燥晶圆表面。清洗或干燥晶圆时由于晶圆是一批一起操作，多片晶圆放置在一起导致现有的清洗装置容易出现晶圆清洗效率低效果差的现场。

发明内容

本发明针对现有的晶圆清洗装置清洗效率低，清洗效果差的技术问题，目的在于提供一种氮气清洗装置。

氮气清洗装置，包括机架、固定于机架上用于清洗晶圆的清洗槽主体，所述清洗槽主体顶面敞开且设有进水口和排液口；

还包括氮气干燥喷洒装置，所述氮气干燥喷洒装置固定于机架上，所述氮气干燥喷洒装置可移动至所述清洗槽主体顶面，用于喷出气体干燥所述清洗槽主体内的晶圆；

所述晶圆置于所述清洗槽主体内，通过所述进水口进液为所述晶圆进行清洗，通过所述排液口对清洗后的液体进行排出，在所述晶圆清洗完成后，通过移动所述氮气干燥喷洒装置至所述清洗槽主体顶面上密封所述清洗槽主体，并向所述清洗槽主体喷出气体，对所述晶圆进行干燥，干燥完成后，所述氮气干燥喷洒装置回位。

所述清洗槽主体下方设有废液回收槽，所述废液回收槽固定于机架上，所述排液口通过排液管联通所述废液回收槽内部，所述排液管上设有排液阀，所述废液回收槽上设有废液排水口，所述废液排水口通过废液排水管与外部排水管路联通。

所述废液回收槽采用密封槽，所述废液回收槽侧壁上部设有回收槽排风口。以便将废气排出，避免内外压力差引起的问题。

所述清洗槽主体上部设有内外联通的上部排风口，所述清洗槽主体的下部设有所述进水口，所述清洗槽主体底面设有所述排液口。

所述清洗槽主体外还设有与所述清洗槽主体内部联通的透视管，所述透视管竖向设置，所述透视管的底部联通所述清洗槽主体下部。

所述清洗槽主体的下部设有至少一个内外联通的下部排水口，所述下部排水口通过下部排水管联通所述废液回收槽内部；

所述下部排水管上设有下部排水阀。

所述下部排水口为两个，每个所述下部排水口均通过独立的所述下部排水管联通所述废液回收槽。

所述清洗槽主体的上部设有至少一个内外联通的上部排水口，所述上部排水口通过上部排水管联通所述废液回收槽内部；

所述上部排水管上设有上部排水阀。