[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110441433.0 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN113555392A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 方琪皓;郑银爱;崔原硕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 梁洪源;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板,所述基板限定开口区域,并且包括显示区域和在所述开口区域与所述显示区域之间的中间区域;
在所述显示区域和所述中间区域中的无机绝缘层;
在所述显示区域中的像素电路;
在所述像素电路上的有机绝缘层;
在所述有机绝缘层上并且电连接到所述像素电路的像素电极、在所述像素电极上的中间层和在所述中间层上的对电极;
薄膜封装层,所述薄膜封装层在所述对电极上,并且包括第一无机封装层、第二无机封装层和在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层;以及
隔断墙,所述隔断墙在所述中间区域中的所述有机绝缘层上,并且包括至少两个挡坝,
其中,所述无机绝缘层在所述隔断墙与所述开口区域之间的区域中与所述薄膜封装层相接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述中间层和所述对电极中的每一个延伸到所述中间区域并且覆盖所述隔断墙,并且包括在所述中间区域中的切割表面。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述中间层和所述对电极在所述隔断墙与所述开口区域之间的所述区域处终止。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述中间层的端部与所述对电极的端部相对应。
5.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:金属残留层,所述金属残留层在所述无机绝缘层上,并且与所述隔断墙和所述开口区域之间的所述区域相对应。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一无机封装层在所述隔断墙与所述开口区域之间的所述区域中与所述金属残留层相接触。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述金属残留层暴露所述无机绝缘层的至少一部分。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述金属残留层包括与所述像素电极相同的材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述隔断墙包括至少三个挡坝,在所述至少三个挡坝中的相邻挡坝之间分别具有谷。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述至少三个挡坝中的每一个挡坝包括在所述有机绝缘层上的第一层和在所述第一层上的第二层。
11.根据权利要求10所述的显示装置,进一步包括:
像素限定层,所述像素限定层限定暴露所述像素电极的一部分的开口;以及
在所述像素限定层上的间隔件,
其中,所述第一层包括与所述像素限定层相同的材料,并且
所述第二层包括与所述间隔件相同的材料。
12.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述谷暴露所述有机绝缘层的至少一部分。
13.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述至少三个挡坝包括最靠近所述显示区域的第一挡坝,并且
位于所述第一挡坝的与所述显示区域邻近的一侧的所述有机绝缘层限定沟槽部分。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述有机封装层的一部分在所述沟槽部分中。
15.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述至少三个挡坝进一步包括:第三挡坝,并且
所述中间层和所述对电极中的每一个被设置为覆盖所述隔断墙并且延伸到所述第三挡坝的朝向所述隔断墙与所述开口区域之间的所述区域设置的侧表面。
16.根据权利要求1所述的显示装置,进一步限定:与所述开口区域相对应并且穿透所述基板的开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的