[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110441433.0 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN113555392A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 方琪皓;郑银爱;崔原硕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 梁洪源;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
一种显示装置,包括:基板,该基板限定开口区域,并且包括显示区域和在开口区域与显示区域之间的中间区域;在显示区域和中间区域中的无机绝缘层;在显示区域中的像素电路;在像素电路上的有机绝缘层;在有机绝缘层上并且电连接到像素电路的像素电极、在像素电极上的中间层和在中间层上的对电极;薄膜封装层,该薄膜封装层在对电极上,并且包括第一无机封装层、第二无机封装层和在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层;以及隔断墙,该隔断墙在中间区域中的有机绝缘层上,并且包括至少两个挡坝,其中,无机绝缘层在隔断墙与开口区域之间的区域中与薄膜封装层相接触。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年4月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0049480号的优先权和权益,其全部内容通过引用被并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示装置及其制造方法,并且更具体地,涉及一种在显示区域内包括第一区域的显示装置及其制造方法。
背景技术
近来,显示装置的用途已经多样化。此外,随着显示装置的厚度和重量的减小,其用途已经增加。
在显示装置之中,在增加被显示区域占用的面积的同时,也添加了被应用到或链接到显示装置的各种功能。为了在增加该面积的同时添加各种功能,已经对其中可在显示区域中设置各种元件的显示装置展开了研究。
发明内容
一个或多个实施例提供了一种包括第一区域的显示装置及其制造方法,在显示装置中,各种类型的元件可以被设置在显示区域中。然而,应当理解,本文所描述的实施例应当仅在描述性的意义上加以考虑,而不是为了限制实施例。
附加的方面将在后面的描述中被部分地阐述,并且根据该描述将部分地显而易见,或者可以通过对所呈现的实施例的实践来习得。
根据一个或多个实施例,一种显示装置包括:基板,该基板限定开口区域,并且包括显示区域和在开口区域与显示区域之间的中间区域;在显示区域和中间区域中的无机绝缘层;在显示区域中的像素电路;在像素电路上的有机绝缘层;在有机绝缘层上并且电连接到像素电路的像素电极、在像素电极上的中间层和在中间层上的对电极;薄膜封装层,该薄膜封装层在对电极上,并且包括第一无机封装层、第二无机封装层和在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层;以及隔断墙,该隔断墙在中间区域中的有机绝缘层上,并且包括至少两个挡坝,其中,无机绝缘层在隔断墙与开口区域之间的区域中与薄膜封装层相接触。
中间层和对电极中的每一个可以延伸到中间区域并且覆盖隔断墙,并且可以包括在中间区域中的切割表面。
中间层和对电极可以在隔断墙与开口区域之间的区域处终止。
中间层的端部可以与对电极的端部相对应。
该显示装置可以进一步包括:金属残留层,该金属残留层在无机绝缘层上并且与隔断墙和开口区域之间的区域相对应。
第一无机封装层可以在隔断墙与开口区域之间的区域中与金属残留层相接触。
金属残留层可以暴露无机绝缘层的至少一部分。
金属残留层可以包括与像素电极相同的材料。
隔断墙可以包括至少三个挡坝,至少三个挡坝被设置为在至少三个挡坝中的相邻挡坝之间分别具有谷。
至少三个挡坝中的每一个挡坝可以包括在有机绝缘层上的第一层和被设置在第一层上的第二层。
该显示装置可以进一步包括:像素限定层,该像素限定层限定暴露像素电极的一部分的开口;以及在像素限定层上的间隔件,其中,第一层可以包括与像素限定层相同的材料,并且第二层可以包括与间隔件相同的材料。
谷可以暴露有机绝缘层的至少一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110441433.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的